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文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇坩埚下降法
  • 3篇坩埚下降法生...
  • 3篇下降法
  • 3篇晶体
  • 2篇闪烁晶体
  • 2篇生长温度
  • 2篇钨酸
  • 2篇钨酸铅
  • 2篇衬模
  • 1篇生长速率
  • 1篇提拉法
  • 1篇晶体质量
  • 1篇硅酸
  • 1篇硅酸铋
  • 1篇SUB
  • 1篇BSO
  • 1篇铂金坩埚

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇王腊妹
  • 3篇邵培发
  • 3篇徐学武
  • 3篇沈炳孚
  • 3篇廖晶莹
  • 3篇万立瑾
  • 2篇周乐平
  • 1篇何崇藩

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1996
  • 1篇1993
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
一种硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>)(简称BSO)单晶体的坩埚下降法生长,特点是用高纯氧化铋和氧化硅作原料,装入有晶种的铂金坩埚内,置于特殊设计的,能同时生长多根晶体的生长炉中,在...
何崇藩廖晶莹沈炳孚邵培发徐学武周乐中万立瑾王腊妹彭兆娟
文献传递
钨酸铅(PbWO<Sub>4</Sub>)闪烁大单晶的坩埚下降法生长
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料,按化学计量配制,在900-1000℃保温半...
廖晶莹沈炳孚邵培发周乐平万立瑾彭兆娟王腊妹徐学武
文献传递
坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料,按化学计量配制,在900-1000℃保温半...
廖晶莹沈炳孚邵培发周乐平万立瑾彭兆娟王腊妹徐学武
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共1页<1>
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