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王腊妹
作品数:
4
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供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
万立瑾
中国科学院上海硅酸盐研究所
廖晶莹
中国科学院上海硅酸盐研究所
沈炳孚
中国科学院上海硅酸盐研究所
徐学武
中国科学院上海硅酸盐研究所
邵培发
中国科学院上海硅酸盐研究所
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中国科学院
作者
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王腊妹
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邵培发
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徐学武
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沈炳孚
3篇
廖晶莹
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万立瑾
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周乐平
1篇
何崇藩
1篇
陈家平
传媒
1篇
硅酸盐通报
年份
1篇
1999
1篇
1996
1篇
1993
1篇
1982
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硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
一种硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>)(简称BSO)单晶体的坩埚下降法生长,特点是用高纯氧化铋和氧化硅作原料,装入有晶种的铂金坩埚内,置于特殊设计的,能同时生长多根晶体的生长炉中,在...
何崇藩
廖晶莹
沈炳孚
邵培发
徐学武
周乐中
万立瑾
王腊妹
彭兆娟
文献传递
关于LN晶体在20~200℃范围内热致双折射效应的初步探讨
1982年
用光学方法研究了铌酸锂(LN)晶体在20~200℃范围内的热致双折射效应。所得实验结果与和许自然的结果相比较有显著差别,并指出在20~200℃范围内存在两个相变,相交温度分别为70~90℃和110~130~C。此外,还进一步证实了前人对LN晶体的X射线分析和热膨胀试验的结果,并对此进行了分析和讨论。
王腊妹
陈家平
关键词:
晶体
热致双折射
生长条纹
晶体不完整性
LN
钨酸铅(PbWO<Sub>4</Sub>)闪烁大单晶的坩埚下降法生长
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料,按化学计量配制,在900-1000℃保温半...
廖晶莹
沈炳孚
邵培发
周乐平
万立瑾
彭兆娟
王腊妹
徐学武
文献传递
坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法
本发明涉及一种用坩埚下降法生长大尺寸、高质量、多根同时生长闪烁晶体钨酸铅(PWO)的新技术,属于晶体生长领域。本发明采用99.9%纯度的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料,按化学计量配制,在900-1000℃保温半...
廖晶莹
沈炳孚
邵培发
周乐平
万立瑾
彭兆娟
王腊妹
徐学武
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