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CMOS/SOI电路的抗ESD实验: 随着SOI技术的快速发展,ESD保护逐渐成为SOI电路广泛应用的一个主要障碍.为了解决这个问题,本文采用了栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了抗ESD实验,分析了影响保护电路抗ESD性能的因素.; 汤仙明韩郑生海潮和周小茵赵立新; 关键词：栅控二极管 SOI技术保护电路硅材料; 文献传递

双栅全耗尽SOI CMOS器件及其制备方法: 本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种双栅全耗尽SOI CMOS器件，该器件包括硅衬底、埋氧层和形成在顶层硅膜中的n型沟道场效应晶体管、p型沟道场效应晶体管及器件介质隔离。本发明同时公开了一种制备双栅全耗尽...; 海潮和毕津顺孙海峰韩郑生赵立新; 文献传递

PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固被引量：4: 2007年; 对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM,进行总剂量为2×105rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3ns;辐照后仅为26.7ns.; 郭天雷韩郑生海潮和周小茵李多力赵立新; 关键词：总剂量辐照静态随机存储器

亚微米CMOS/SIMOX器件与电路研究: 海潮和韩郑生刘新宇陈焕章户焕章周小茵刘忠立李俊峰于雄飞孙海峰柴淑敏郝秋华邢孝平侯瑞兵高文方孙宝刚周锁京赵立新于萍; 主要研究了部分耗尽型亚微米CMOS/SOI器件特性；浮体SOI器件和体源短接时两种结构性能对比，（包括直流特性和高频特性）以及薄膜全耗尽器件的栅电极工程等。研制成功性能优良的部分耗尽及薄膜全耗尽CMOS器件。并形成了一整...; 关键词：; 关键词：CMOS SOI SRAM

提高SOI器件和电路性能的研究被引量：5: 2006年; 在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).; 海潮和韩郑生周小茵赵立新李多力毕津顺; 关键词：SOI 浮体效应沟道抗辐照

Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 64k SRAMs被引量：1: 2007年; The first domestic 1×10^6rad（Si） total dose hardened 1.2μm partially depleted silicon-on-insulator （PDSOI） 64k SRAM fabricated in SIMOX is demonstrated.The address access time is independent of temperature from -55 to 125℃ and independent of radiation up to 1×10^6rad（Si） for the supply voltage VDD.The standby current is 0.65μA before the total dose of radiation and is only 0.80mA after radiation exposure,which is much better than the specified 10mA.The operating power supply current is 33.0mA before and only 38.1mA afterward,which is much better than the specified 100mA.; 郭天雷赵发展刘刚李多力李晶赵立新周小茵海潮和韩郑生; 关键词：PDSOI SRAM RADIATION

CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验被引量：2: 2004年; 　设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64kBSRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验。通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响。实验结果表明,这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设计要求。; 汤仙明韩郑生周小茵海潮和赵立新; 关键词：SOI ESD 栅控二极管 SRAM

金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法，是在SOI－CMOS电路的背衬底连接一地电位或电源电位。其中，测试NMOS的阈值电压时，背衬底连接地电位；测试PMOS的阈值电压时，背衬底连接负电源电位。测试NMOS的...; 海潮和韩郑生周小茵赵立新李多力李晶; 文献传递

绝缘体硅射频集成电路的集成结构及制作方法: 一种用于绝缘体硅射频集成电路的集成结构，其中包括：一绝缘体硅衬底，包括单晶硅层、隔离氧化层和硅薄层；场氧化层采用局域场氧化隔离技术形成在硅薄层里与隔离氧化层相连，以阻断器件漏电；栅氧化层是在硅薄层表面氧化形成；多晶硅层是...; 杨荣李俊峰徐秋霞海潮和韩郑生周小茵赵立新牛洁斌钱鹤; 文献传递

提高SOI器件和电路性能的研究: 本文SOI器件和电路性能进行了研究。文章认为，SOI技术是在体硅CMOS技术的基础上发展起来的,和体硅相比SOI有较多的优势，但同时也有它的劣势,这种劣势实际上是由其特殊的器件结构决定的。文章对SOI器件的性能进行了分析...; 海潮和韩郑生周小茵赵立新李多力; 关键词：集成电路微电子技术半导体材料; 文献传递

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赵立新