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高性能双栅MOSFET: 周小茵徐秋霞赵立新等8人; 高性能双栅MOSFET用于彩电高频头和通信电路。比起单栅效应晶体管，除保持了高增益低噪声，高输入阻抗，抗交叉调制等性能外，还由于返馈电容小能够在甚高频、超高频范围内稳定地工作。通过改变第二栅压可实现自动增益控制(AGC)...; 关键词：; 关键词：场效应器件自动增益控制

PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固被引量：4: 2007年; 对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM,进行总剂量为2×105rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3ns;辐照后仅为26.7ns.; 郭天雷韩郑生海潮和周小茵李多力赵立新; 关键词：总剂量辐照静态随机存储器

0.8微米CMOS集成电路芯片制造技术: 仇玉林吴德馨海潮和刘志政陈焕章徐秋霞扈焕章周小茵朱亚江; 该项目包括0.8微米CMOS集成电路芯片制造技术与专用集成电路(ASIC)设计技术两个方面，二者均属半导体技术范畴。其主要内容为：1.包括器件参数，器件结构设计与研制的0.8微米CMOS器件技术；2.0.8微米光刻蚀，栅...; 关键词：; 关键词：CMOS集成电路芯片制造

提高SOI器件和电路性能的研究被引量：5: 2006年; 在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).; 海潮和韩郑生周小茵赵立新李多力毕津顺; 关键词：SOI 浮体效应沟道抗辐照

Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 64k SRAMs被引量：1: 2007年; The first domestic 1×10^6rad（Si） total dose hardened 1.2μm partially depleted silicon-on-insulator （PDSOI） 64k SRAM fabricated in SIMOX is demonstrated.The address access time is independent of temperature from -55 to 125℃ and independent of radiation up to 1×10^6rad（Si） for the supply voltage VDD.The standby current is 0.65μA before the total dose of radiation and is only 0.80mA after radiation exposure,which is much better than the specified 10mA.The operating power supply current is 33.0mA before and only 38.1mA afterward,which is much better than the specified 100mA.; 郭天雷赵发展刘刚李多力李晶赵立新周小茵海潮和韩郑生; 关键词：PDSOI SRAM RADIATION

CMOS/SOI电路的抗ESD实验: 随着SOI技术的快速发展,ESD保护逐渐成为SOI电路广泛应用的一个主要障碍.为了解决这个问题,本文采用了栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了抗ESD实验,分析了影响保护电路抗ESD性能的因素.; 汤仙明韩郑生海潮和周小茵赵立新; 关键词：栅控二极管 SOI技术保护电路硅材料; 文献传递

CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验被引量：2: 2004年; 　设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64kBSRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验。通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响。实验结果表明,这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设计要求。; 汤仙明韩郑生周小茵海潮和赵立新; 关键词：SOI ESD 栅控二极管 SRAM

金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法，是在SOI－CMOS电路的背衬底连接一地电位或电源电位。其中，测试NMOS的阈值电压时，背衬底连接地电位；测试PMOS的阈值电压时，背衬底连接负电源电位。测试NMOS的...; 海潮和韩郑生周小茵赵立新李多力李晶; 文献传递

CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器: 本文对一种CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1K×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Doub...; 海潮和刘新宇韩郑生刘洪民孙海峰周小茵陈焕章扈焕章; 关键词：随机存储器; 文献传递

绝缘体硅射频集成电路的集成结构及制作方法: 一种用于绝缘体硅射频集成电路的集成结构，其中包括：一绝缘体硅衬底，包括单晶硅层、隔离氧化层和硅薄层；场氧化层采用局域场氧化隔离技术形成在硅薄层里与隔离氧化层相连，以阻断器件漏电；栅氧化层是在硅薄层表面氧化形成；多晶硅层是...; 杨荣李俊峰徐秋霞海潮和韩郑生周小茵赵立新牛洁斌钱鹤; 文献传递

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周小茵