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王国明

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇存储器
  • 7篇脉冲
  • 6篇RRAM
  • 5篇电压
  • 4篇中间态
  • 4篇擦除
  • 3篇加载
  • 3篇编程
  • 2篇低阻
  • 2篇电流
  • 2篇电路
  • 2篇电压扫描
  • 2篇电铸
  • 2篇氧化物材料
  • 2篇自然数
  • 2篇细丝
  • 2篇脉冲测试
  • 2篇脉冲宽度
  • 2篇脉冲源
  • 2篇耐久

机构

  • 12篇中国科学院微...

作者

  • 12篇刘琦
  • 12篇李阳
  • 12篇王国明
  • 12篇吕杭炳
  • 12篇张美芸
  • 12篇龙世兵
  • 12篇刘明
  • 11篇刘红涛
  • 11篇许晓欣
  • 8篇王明
  • 6篇孙鹏霄
  • 4篇刘若愚

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种对RRAM存储器保持时间参数进行测试的方法
本发明公开了一种对RRAM存储器的保持时间参数进行测试的方法，包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，根据RRAM存储器所处状态，给RRAM存储器加载用户设定编程电压或擦除电压；加载编程电压时，通过不断地读取通过RRAM...
龙世兵王国明张美芸李阳许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
文献传递
对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，该方法包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向...
龙世兵王国明张美芸李阳许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
文献传递
对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，该方法包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向...
龙世兵王国明张美芸李阳许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
一种有效提高阻变存储器耐久性的方法
本发明公开了一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲。利用本发明，可以防止编程过程中，由于脉冲宽度过大，而造成硬击穿，从而...
龙世兵王国明张美芸李阳许定林王明许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
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一种有效提高阻变存储器耐久性的方法
本发明公开了一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲。利用本发明，可以防止编程过程中，由于脉冲宽度过大，而造成硬击穿，从而...
龙世兵王国明张美芸李阳许定林王明许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
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一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源...
龙世兵王国明张美芸李阳王明许晓欣刘若愚李丛飞刘红涛孙鹏霄吕杭炳刘琦刘明
一种对RRAM存储器脉冲参数进行测试的方法
本发明公开了一种对RRAM存储器脉冲参数进行测试的方法，包括：判断RRAM器件当前所处的状态，然后在一定电压下根据RRAM器件所处状态产生脉冲宽度L<Sub>l</Sub>=L的擦除脉冲或脉冲宽度H<Sub>1</Sub...
龙世兵王国明张美芸李阳吕杭炳刘琦刘明
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一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源...
龙世兵王国明张美芸李阳王明许晓欣刘若愚李丛飞刘红涛孙鹏霄吕杭炳刘琦刘明
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一种制备纳米器件的方法
本发明公开了一种制备纳米器件的方法，包括：在绝缘衬底上沉积一层金属薄膜，形成粘附层；在金属薄膜上沉积一层金属薄膜，形成金属下电极；在金属下电极上沉积一层氧化物材料；在氧化物材料上沉积一层金属薄膜，形成金属上电极；在金属上...
龙世兵张美芸王国明李阳王明许晓欣刘若愚李丛飞刘红涛孙鹏霄刘琦吕杭炳刘明
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一种降低阻变存储器电铸电压的方法
本发明公开了一种降低阻变存储器电铸电压的方法，该方法是在对阻变存储器进行电铸操作之前，通过阻变存储器的上电极向阻变存储器的阻变功能层施加恒定的小电流，在阻变存储器的阻变功能层中形成部分导电细丝，使阻变存储器处于中间态。之...
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