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龙世兵

作品数：330 被引量：121H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 283篇专利
  • 31篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 3篇学位论文

领域

  • 43篇自动化与计算...
  • 42篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 169篇存储器
  • 62篇电极
  • 58篇纳米
  • 40篇衬底
  • 37篇微电子
  • 33篇光刻
  • 30篇金属
  • 24篇电路
  • 24篇纳米晶
  • 23篇电子器件
  • 23篇电阻
  • 21篇刻蚀
  • 21篇浮栅
  • 20篇阻挡层
  • 17篇非挥发性
  • 16篇氧化物
  • 16篇晶体管
  • 14篇淀积
  • 14篇金属纳米
  • 13篇电压

机构

  • 321篇中国科学院微...
  • 8篇北京科技大学
  • 6篇南京大学
  • 3篇安徽大学
  • 3篇兰州大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇北京大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇湘潭大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 330篇龙世兵
  • 319篇刘明
  • 169篇刘琦
  • 131篇吕杭炳
  • 69篇谢常青
  • 56篇陈宝钦
  • 52篇王琴
  • 37篇李颖弢
  • 34篇张森
  • 33篇王艳
  • 33篇霍宗亮
  • 26篇贾锐
  • 23篇孙海涛
  • 21篇胡媛
  • 20篇刘璟
  • 19篇张满红
  • 19篇连文泰
  • 19篇张康玮
  • 19篇牛洁斌
  • 19篇许晓欣

传媒

  • 8篇Journa...
  • 5篇微纳电子技术
  • 3篇科学通报
  • 3篇物理
  • 3篇微电子学
  • 2篇微细加工技术
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇中国科学：技...
  • 1篇第二届全国纳...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇中国科协第五...

年份

  • 3篇2021
  • 7篇2020
  • 10篇2019
  • 10篇2018
  • 31篇2017
  • 20篇2016
  • 20篇2015
  • 33篇2014
  • 22篇2013
  • 54篇2012
  • 15篇2011
  • 19篇2010
  • 37篇2009
  • 12篇2008
  • 8篇2007
  • 7篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
  • 6篇2003
  • 4篇2002
共 330 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法
本发明公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态；以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态。根据本...
刘明连文泰龙世兵吕杭炳刘琦
SiO_2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响被引量：2
2003年
利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.
龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋
关键词：互连线扩散阻挡层X射线光电子能谱钽超大规模集成电路互连结构
一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法
本发明公开了一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法，包括:衬底预备;光刻形成惰性电极图形;电子束蒸发惰性电极金属;剥离形成惰性电极;套刻形成活性电极图形;电子束蒸发活性电极金属;剥离形成两端电极平面器件;以及在电场激励下形成银金...
孙海涛杨洪璋路程刘琦吕杭炳龙世兵谢常青刘明
文献传递
一种氧化镓基底场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种氧化镓基底场效应管制备方法，其中包括：步骤一、提供氧化镓基底；步骤二、在氧化镓基底表面淀积宽禁带氧化物层；步骤三、在宽禁带氧化物层上淀积高K介质层；步骤四、对宽禁带氧化物层和高K介质层进行光刻得到复合栅介质...
龙世兵董航何启鸣刘明
集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法。该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成第一...
吕杭炳刘明龙世兵刘琦王艳花牛洁斌
一种纳米电子器件的制作方法
本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，纳米电极下的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质下的硅衬底作为栅电极。这种纳米电子器...
龙世兵刘明李维龙贾锐
文献传递
纳米加工和纳米电子器件被引量：4
2005年
介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。
刘明谢常青王丛舜龙世兵李志钢易里成荣涂德钰
关键词：单电子器件共振隧穿器件
一种硅基侧栅单电子晶体管的制作方法
本发明公开了一种硅基侧栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛侧面的栅介质和侧栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及侧栅上沉积的...
龙世兵王琴李志刚刘明陈宝钦
文献传递
纳米电子器件及其集成技术
目前国际上主要采用从“自上而下”和“自下而上”两个方向开展纳米电子及其器件和集成
刘明王丛舜谢常青龙世兵李志钢张立辉易里成荣
关键词：电子器件集成技术
文献传递
一次编程存储器及其制备方法
本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括：下电极；上电极；以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜；上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功...
刘明张康玮龙世兵谢常青吕杭炳刘琦
文献传递
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