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王任凡

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉邮电科学研究院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成器件
  • 2篇DFB-LD
  • 2篇DWDM系统
  • 2篇EA
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱激光...
  • 1篇通信
  • 1篇通信系统
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇集成光学
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤通信
  • 1篇光纤通信系统
  • 1篇光学
  • 1篇2.5GB/...

机构

  • 2篇清华大学
  • 2篇武汉邮电科学...

作者

  • 2篇刘涛
  • 2篇金锦炎
  • 2篇王彩玲
  • 2篇李同宁
  • 2篇罗毅
  • 2篇吴又生
  • 2篇孙长征
  • 2篇王任凡
  • 2篇黄涛
  • 2篇杨新民

传媒

  • 1篇高技术通讯
  • 1篇光通信研究

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件
1998年
报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ。该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０－１２。
李同宁金锦炎杨新民王彩玲刘涛黄涛王任凡吴又生罗毅文国鹏孙长征
关键词：DWDM系统光纤通信系统2.5GB/S
2.5 Gbit/s用DFB-LD/EA单片集成器件
1999年
本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ；该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓＤＷＤＭ系统上进行传输试验，传输２４０ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ，ＢＥＲ＝１０－１２。
李同宁金锦炎杨新民王彩玲刘涛黄涛王任凡吴又生罗毅文国鹏孙长征
关键词：集成光学多量子阱激光器DWDM系统
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