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吴又生
作品数:
3
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供职机构:
武汉邮电科学研究院
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨新民
武汉邮电科学研究院
黄涛
武汉邮电科学研究院
王任凡
武汉邮电科学研究院
孙长征
清华大学信息科学技术学院电子工...
罗毅
清华大学信息科学技术学院电子工...
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机构
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武汉邮电科学...
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华中师范大学
作者
3篇
吴又生
2篇
刘涛
2篇
金锦炎
2篇
王彩玲
2篇
李同宁
2篇
罗毅
2篇
孙长征
2篇
王任凡
2篇
黄涛
2篇
杨新民
1篇
杜普君
1篇
胡毅
传媒
2篇
光通信研究
1篇
高技术通讯
年份
1篇
1999
2篇
1998
共
3
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预啁啾技术在2.5Gbit/s光传输系统中的实现
1998年
本文介绍了在2.5Gbit/s光传输系统中预啁啾技术的实现,并对2.5Gbit/s光传输系统中的预啁啾和自相位调制进行了理论分析,为高速光传输系统的研究提供了参考。
吴又生
郑宏军
金云峰
胡毅
杜普君
关键词:
预啁啾
自相位调制
光纤通信
高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件
1998年
报导了采用全MOCVD生长的1.55μm单片集成DFB-LD/EA组件的制作和在DWDM系统上的传输测试结果。出纤功率Pf≥2.5mW@If=75mA,边模抑制比SMSR>35dB,调制器反向偏压为2.5V时的消光比为14dB。该发射模块在2.5Gb/sDWDM系统上进行了传输试验,传输240Km后无误码,其通道代价≤1dB@BER=10-12。
李同宁
金锦炎
杨新民
王彩玲
刘涛
黄涛
王任凡
吴又生
罗毅
文国鹏
孙长征
关键词:
DWDM系统
光纤通信系统
2.5GB/S
2.5 Gbit/s用DFB-LD/EA单片集成器件
1999年
本文报道了采用全MOCVD生长的1.55μm单片集成DFB-LD/EA组件的制作和在DWDM系统上的传输测试结果。出纤功率Pf≥2.5mW,If=75mA,边模抑制比SMSR≥35dB。调制器反向偏压为2.5V时的消光比为14dB;该发射模块在2.5Gbit/sDWDM系统上进行传输试验,传输240km后无误码,其通道代价≤1dB,BER=10-12。
李同宁
金锦炎
杨新民
王彩玲
刘涛
黄涛
王任凡
吴又生
罗毅
文国鹏
孙长征
关键词:
集成光学
多量子阱激光器
DWDM系统
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