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潘昆

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电路
  • 1篇砷化镓
  • 1篇微结构
  • 1篇化学制备
  • 1篇集成电路
  • 1篇故障检测
  • 1篇红外
  • 1篇红外显微镜
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇GAAS衬底
  • 1篇IC
  • 1篇MBE生长
  • 1篇测试方
  • 1篇衬底
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇潘昆
  • 2篇金才政
  • 1篇牛智川
  • 1篇曾一平
  • 1篇王守武
  • 1篇周增圻
  • 1篇张子莹
  • 1篇李灵肖
  • 1篇林耀望
  • 1篇周帆

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇中国集成电路...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1996
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
红外显微镜在IC测试方面的应用
潘昆金才政
关键词：集成电路故障检测红外显微镜
GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究被引量：4
1996年
本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的形成机制，认为在一定的生长条件下，脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的；而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的．
牛智川周增圻林耀望周帆潘昆张子莹祝亚芹王守武
关键词：砷化镓MBE生长
分子束外延GaAs衬底的化学制备
分子束外延是制备超晶格等微结构材料的重要手段之一。由于分子束外延不角液相外延或化学气相外延那样，在生长羊可进行原位回熔或腐蚀。因此衬底表面质量的好坏对分子束外延层的质量有极大的影响。
李灵肖金才政曾一平潘昆
关键词：分子束外延微结构GAAS衬底化学制备
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