您的位置： 专家智库 > >

张子莹

作品数：3 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：兵器预研支撑基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇MOCVD生...
  • 1篇低阈值
  • 1篇砷化镓
  • 1篇微碟激光器
  • 1篇DFB激光器
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇LP
  • 1篇LP-MOC...
  • 1篇MBE生长
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇国家光电子工...
  • 1篇长春光机学院

作者

  • 3篇张子莹
  • 2篇周帆
  • 1篇陈博
  • 1篇张静媛
  • 1篇朱洪亮
  • 1篇汪孝杰
  • 1篇牛智川
  • 1篇王玉田
  • 1篇马朝华
  • 1篇王守武
  • 1篇周增圻
  • 1篇王圩
  • 1篇林耀望
  • 1篇潘昆
  • 1篇任大翠
  • 1篇吴根柱
  • 1篇张兴德
  • 1篇刘国利

传媒

  • 3篇Journa...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1998
  • 1篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器被引量：4
2001年
用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射 ,测出单个微碟激光器的阈值光功率为 15 0μW,激射波长约为 1.6μm,品质因数 Q=80 0 ,激射光谱线宽为 2 nm,同时指出微碟激光器激射线宽比 F-
吴根柱张子莹任大翠张兴德
关键词：微碟激光器MOCVD生长INGAAS/INGAASP
低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
1998年
本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．
陈博王圩汪孝杰张静媛朱洪亮周帆王玉田马朝华张子莹刘国利
关键词：DFB激光器LP-MOCVD
GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究被引量：4
1996年
本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的形成机制，认为在一定的生长条件下，脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的；而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的．
牛智川周增圻林耀望周帆潘昆张子莹祝亚芹王守武
关键词：砷化镓MBE生长
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0