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杜玉萍

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：装甲兵工程学院装备再制造工程系装备再制造技术国防科技重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇性能表征
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇立方氮化硼薄...
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇拉曼光谱分析
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 1篇北京工业大学
  • 1篇装甲兵工程学...

作者

  • 1篇严辉
  • 1篇蔡志海
  • 1篇黄安平
  • 1篇谭俊
  • 1篇张平
  • 1篇许仕龙
  • 1篇杜玉萍
  • 1篇赵军军

传媒

  • 1篇材料保护

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征被引量：1
2005年
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c -BN薄膜进行了表征和分析。结果表明 :30 0W的射频功率是制备c -BN薄膜的最佳条件 ;当气体分压比Ar/N2 =5 1时 ,制备的薄膜中c -BN含量相对最高 ;立方氮化硼的形成存在偏压阈值 (约 80V ) ,低于此偏压c -BN很难形成。拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构。AFM和XPS分析结果表明c -BN薄膜结晶良好 ,晶粒尺寸细小 ,具有很好的化学配比 ,B原子与N原子的含量比为 1l。
蔡志海杜玉萍谭俊张平赵军军黄安平许仕龙严辉
关键词：立方氮化硼薄膜射频磁控溅射拉曼光谱分析
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