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黄安平

作品数:10 被引量:12H指数:3
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇溅射
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 3篇溅射气压
  • 3篇AFM
  • 3篇ALN
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇介电
  • 2篇光谱
  • 2篇SI衬底
  • 2篇TA
  • 2篇TA2O5
  • 2篇衬底
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇性能表征
  • 1篇压电
  • 1篇压电材料
  • 1篇射频磁控

机构

  • 10篇北京工业大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇装甲兵工程学...

作者

  • 10篇黄安平
  • 9篇严辉
  • 6篇王波
  • 3篇张德学
  • 3篇朱满康
  • 3篇王如志
  • 3篇王玫
  • 2篇宋雪梅
  • 2篇李小换
  • 2篇王波
  • 2篇冷杉
  • 2篇许仕龙
  • 1篇蔡志海
  • 1篇谭俊
  • 1篇邹云娟
  • 1篇张平
  • 1篇杜玉萍
  • 1篇廖波
  • 1篇王磊
  • 1篇王磊

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇材料保护
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇第四届中国功...

年份

  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2002
  • 4篇2001
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
BN薄膜的高温诱导取向生长
本文利用感应耦合式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(BH)和氮气(N),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到1000℃之间变化.主要研究...
王玫张德学黄安平王如志李健超王波严辉
关键词:氮化硼
文献传递
磁控溅射A1N薄膜的制备及其结构特性研究
通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅射气压将影响溅射粒子的能量,从而导致溅射过程中出现不同的沉积方式.
王波王如志黄安平严辉
关键词:磁控溅射AFM溅射气压压电材料
文献传递
高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征被引量:1
2005年
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c -BN薄膜进行了表征和分析。结果表明 :30 0W的射频功率是制备c -BN薄膜的最佳条件 ;当气体分压比Ar/N2 =5 1时 ,制备的薄膜中c -BN含量相对最高 ;立方氮化硼的形成存在偏压阈值 (约 80V ) ,低于此偏压c -BN很难形成。拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构。AFM和XPS分析结果表明c -BN薄膜结晶良好 ,晶粒尺寸细小 ,具有很好的化学配比 ,B原子与N原子的含量比为 1l。
蔡志海杜玉萍谭俊张平赵军军黄安平许仕龙严辉
关键词:立方氮化硼薄膜射频磁控溅射拉曼光谱分析
磁控溅射AlN薄膜的制备及其结构特性研究
通过磁控溅射系统,在单晶硅片上制备了六角氮化铝薄膜;改变溅射气压,也得到了垂直基底与平行基底的两种取向;取向生长的原因在于溅射气压将影响溅射粒子的能量,从而导致溅射过程中出现不同的沉积方式.
王波王如志黄安平严辉
关键词:磁控溅射AIN薄膜AFM溅射气压
文献传递
AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长
2004年
当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.
王磊冷杉王波黄安平李小换朱满康严辉
关键词:ZNO薄膜磁控溅射
AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长
当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的村底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积Al...
王磊冷杉王波黄安平李小换朱满康严辉
关键词:ZNO薄膜磁控溅射
文献传递
纳米碳化硅(SiC)薄膜结构与溅射参数的关系
本实验采用射频磁控溅射方法,在高阻单晶Si(100)衬底上制备出了纳米SiC薄膜。采用高分辨原子力显微镜(AFM),观察到在合适条件下沉积的SiC薄膜是由纳米尺寸的SiC晶粒构成,这与红外光谱(FTIR)的结果相吻合。改...
王玫黄安平张德学宋雪梅王波严辉廖波
关键词:纳米SIC薄膜磁控溅射FTIRAFM
文献传递
衬底负偏压对溅射Ta_2O_5薄膜晶化温度及介电性能的影响被引量:3
2004年
采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100~200V),获得了结晶良好的Ta_2O_5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta_2O_5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta_2O_5薄膜的介电性能.
许仕龙朱满康黄安平王波严辉
关键词:TA2O5晶化温度
溅射气压和沉积时间对c-BN薄膜结构的影响被引量:5
2002年
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积cBN薄膜,研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响。结果表明,随溅射气压的升高或沉积时间的增加,都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果,并导致薄膜中cBN相含量的减小。
王波王玫张德学黄安平宋雪梅邹云娟严辉
关键词:立方氮化硼红外光谱溅射气压
反应溅射沉积高介电Ta/_2O/_5薄膜研究
随着超大规模集成电路的快速发展,器件的特征尺寸在不断缩小,特别是 到 0.1μm 尺寸范围时,如仍采用 SiO2//SiONx作为栅介质材料,将会导致栅压对 沟道控制能力的减弱和器件功...
黄安平
关键词:TA2O5界面层
文献传递
共1页<1>
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