张腾
- 作品数：8 被引量：29H指数：4
- 供职机构：中南民族大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- 生长温度对掺钛氧化锌薄膜光学性质的影响被引量：3
- 2012年
- 以氧化锌钛陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺钛氧化锌(TZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪和分光光度计测试表征以及全光谱拟合法分析,研究了生长温度对TZO薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:所有TZO样品均为六角纤锌矿结构,并具有(002)择优取向,生长温度对薄膜晶粒尺寸和光学透射率的影响较明显,而对折射率、消光系数和光学能隙的影响较小.当生长温度为200℃时,TZO薄膜的晶粒尺寸最大,可见光范围平均透射率(含衬底)为76.1%,对应的直接光学能隙为3.45 eV.
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- 关键词：磁控溅射微观结构光学常数
- 基片温度对镓钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响被引量：9
- 2013年
- 以镓钛共掺杂氧化锌(GTZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了GTZO透明导电薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外光分光光度计和四探针仪等测试表征,研究了基片温度对GTZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响.结果表明:所制备的GTZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并具有(002)择优取向,其结晶质量、晶粒尺寸、方块电阻、透过率、光学能隙以及品质因数都与基片温度密切相关,当基片温度为350℃时,GTZO薄膜的品质因数最大,具有最佳的光电综合性能.
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- 关键词：氧化锌薄膜掺杂光电性能
- 溅射功率对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜光电性能的影响被引量：6
- 2013年
- 以ZnO∶Ga2O3∶TiO2(97wt%∶1.5wt%∶1.5wt%)陶瓷靶作为溅射源,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计测试表征,研究了溅射功率对TGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响。结果表明:所有TGZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,溅射功率对薄膜性能具有明显的影响。当溅射功率为200 W时,TGZO薄膜的结晶质量最好、电阻率最低、平均可见光透射率最高,品质因数最大(1.22×10-2Ω-1),其光电综合性能最佳。另外,通过光谱拟合方法研究了溅射功率对TGZO薄膜折射率和消光系数的影响,并利用Tauc关系式计算了样品的光学能隙。
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- 关键词：氧化锌薄膜溅射功率透过率
- Sn掺杂In_3O_2半导体薄膜的制备及其性能研究被引量：1
- 2015年
- 采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时,In3O2:Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优值因子(7.9×104Ω-1·m-1),其光电性能最好.同时采用Tauc公式计算了样品的光学带隙,结果表明:光学带隙随着生长速率的增大而单调减小.
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- 关键词：半导体薄膜光学性能
- TGZO透明导电薄膜的制备及其光电性能研究
- 透明导电氧化物(TCO)薄膜是一种兼具优良透光性能和导电性能的光电子信息材料,在太阳能电池、平板显示器和触控面板等领域具有广阔的应用前景。当前,广泛应用于工业领域的TCO材料主要是氧化铟锡(ITO),但由于铟为稀有金属、...
- 张腾
- 关键词：透明导电氧化物薄膜光电性能衬底温度微观结构
- 文献传递
- 应用于太阳能电池的AZO透明导电薄膜光学性质研究被引量：9
- 2012年
- 以铝掺杂氧化锌陶瓷靶作为溅射源,采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜,利用全光谱拟合法计算了AZO薄膜的光学常数和厚度,研究了厚度对AZO薄膜光学性质的影响.结果表明:拟合光谱曲线与实测光谱曲线一致,薄膜的光学性能与厚度密切相关,AZO薄膜折射率表现为正常的色散特性.另外还采用包络法计算了AZO薄膜的折射率和厚度,两种方法所得结果基本相符.
- 钟志有张腾汪浩
- 关键词：掺铝氧化锌透明导电薄膜光学常数
- 磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究被引量：11
- 2013年
- 采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响。当沉积速率为4 nm/min时,所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最低的电阻率(1.1×10-3Ω.cm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优良指数(7.9×102S.cm-1),其光电综合性能最佳。同时采用Tauc法则计算了ITO薄膜的光学能隙,结果显示沉积速率增大时,ITO薄膜的光学能隙单调减小。
- 钟志有张腾顾锦华孙奉娄
- 关键词：透明导电薄膜晶体结构
- Ga-Ti共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能被引量：1
- 2013年
- 采用ZnO:Ga2O3:T iO2为靶材,在玻璃衬底上射频磁控溅射制备了多晶Ga-T i共掺杂ZnO(GT Z O)薄膜,通过XRD、四探针、透射光谱测试研究了生长温度对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度。当生长温度为620K时GT ZO薄膜的结晶质量最佳、电阻率最低、透射率最大、品质因数最高。
- 张腾钟志有
- 关键词：磁控溅射透明导电薄膜
