钟志有
- 作品数：111 被引量：367H指数：11
- 供职机构：中南民族大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程理学文化科学更多>>
- 磁控溅射法制备ZnO:Ga薄膜的结晶质量及其应力研究被引量：4
- 2015年
- 以氧化锌(Zn O)掺杂氧化镓(Ga2O3)的陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了透明导电的掺镓氧化锌(Zn O:Ga)薄膜.通过X射线衍射仪测试研究了衬底温度对薄膜结晶性能及其残余应力的影响.研究结果表明:所有Zn O:Ga薄膜均为六角纤锌矿型的多晶结构并具有(002)方向的择优取向特性,其结晶性能和残余应力与衬底温度密切相关.随着衬底温度的升高,薄膜的(002)择优取向程度和晶粒尺寸呈现出先增大后减小的变化趋势,而薄膜的残余压应力则单调减小.当衬底温度为400℃时,Zn O:Ga薄膜具有最大的晶粒尺寸(75.1 nm)、最大的织构系数TC(002)(2.995)、较小的压应力(-0.185 GPa)和最好的结晶性能.
- 钟志有兰椿龙路陆轴
- 关键词：磁控溅射氧化锌薄膜掺杂
- 蓝光OLED器件载流子复合区域的研究
- 2005年
- 制备了结构为ITO/NPB/BAlq3/Mg:Ag的有机电致发光器件(OLED),研究了有机层厚度对器件载流子复合区域的影响。实验结果表明当改变各有机层厚度时,OLED器件的电致发光光谱将发生从绿光到蓝光的变化。经分析这是由于各有机层电场强度变化影响了空八和电子的隧穿几率,从而导致载流子的复合区域发生改变而发射不同颜色的光。
- 季兴桥黎威志钟志有王涛蒋亚东
- 关键词：LED器件蓝光电致发光光谱NPB隧穿
- 硅基宽带双偏振单模狭缝波导（英文）被引量：2
- 2015年
- 采用三维平面波法和三维有限时域差分法,研究了硅基单模狭缝波导的双偏振特性.通过调节狭缝波导中硅介质的宽度,获得了宽达320.6 nm的双偏振带宽;并且发现在该带宽范围内,准TE模式的电场强度在狭缝中均具有增强效果,并且狭缝中光限制因子均大于60%.该研究结果可为设计其他与偏振相关的硅光子器件提供参考.
- 侯金李博雅王林枝杨春勇钟志有陈少平
- 关键词：宽带偏振
- 掺钛GZO透明半导体薄膜的光学性质研究被引量：1
- 2015年
- 以钛掺杂氧化锌镓(GZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti)透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性质的影响.结果表明:拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO:Ti薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO:Ti薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的.
- 钟志有陆轴龙路
- 关键词：光学常数
- 磁控溅射法制备掺镁氧化锌薄膜的微观结构及其物理性质
- 2024年
- 采用磁控溅射工艺制备了纯氧化锌(ZnO)和不同掺杂量的掺镁氧化锌(MgZnO)薄膜,研究了薄膜样品电学、光学、气敏性能和微观结构与掺杂量之间的依赖关系,以及温度和气体浓度对薄膜气敏性能的影响,并对掺杂量为10%(质量分数)的薄膜样品的室温气敏特性进行细致分析.结果显示:所有制备的薄膜样品均为c轴择优取向生长的六角纤锌矿晶体结构,掺杂量为10%的薄膜样品具有最好的晶体质量、微观结构、光学性能,气体响应性优于其他薄膜,对氨的响应性优于其他目标气体.在室温条件下,掺杂量为10%的薄膜样品对50cm^(3)·m^(-3)氨的响应为44.62%,180天后其响应仅轻微下降为42.02%.
- 顾锦华万鑫冯朝德龙浩龙浩
- 关键词：微观结构气敏性能
- 氧等离子体处理改善ITO电极表面湿润性被引量：6
- 2005年
- 采用氧等离子体处理对有机发光器件ITO电极进行表面改性,基于接触角的测量,利用几何平均法计算了ITO的表面能和极性度,研究了氧等离子体处理对ITO电极表面湿润性的影响。实验数据和计算结果表明:氧等离子体处理后,ITO表面极性度增加,表面能增大,接触角减小,其表面湿润性得到很大改善。同时,进一步研究了氧等离子体处理对有机发光器件性能的影响,结果显示:ITO电极表面湿润性的改善,提高了发光亮度和效率,降低了启亮电压和驱动电压,有效地改善了器件的光电性能。
- 钟志有蒋亚东王涛黎威志季兴桥
- 关键词：有机发光器件ITO电极湿润性
- 沉积温度影响有机太阳能电池阳极薄膜结晶性能被引量：12
- 2009年
- 采用射频磁控溅射工艺,以氧化锌铝(AZO)陶瓷靶作为靶材,通过优化工艺参数在玻璃基板上制备了具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜.基于X射线衍射(XRD)测试表征,研究了沉积温度对薄膜结晶性能的影响.实验结果表明:AZO薄膜的结晶性能与沉积温度密切相关,较低温度时,随着沉积温度的升高,薄膜的结晶性能得到提高,但是沉积温度进一步升高时却有所变差.当沉积温度为400℃时,AZO薄膜的结晶性能最佳,c轴取向良好,晶粒尺寸接近40 nm.
- 钟志有顾锦华何翔孙奉娄
- 关键词：有机太阳能电池阳极
- 柔性有机太阳能电池基板COC的表面物理化学性能研究被引量：4
- 2009年
- 采用氧等离子体处理对柔性有机太阳能电池(O SC)基板环烯烃共聚物(COC)进行表面改性,基于接触角测量,利用几何平均法计算了COC表面自由能及其极性分量、色散分量以及表面极性度,研究了氧等离子体处理对COC基板表面物理化学性能的影响.结果表明:COC基板表面性能与氧等离子体处理工艺条件密切相关,等离子体改性使得COC表面接触角减小、自由能增大、极性度增加,其表面物理化学性能得到明显优化.这-结果对于O SC柔性电极制备及其器件光伏性能改善具有重要作用.
- 顾锦华钟志有孙奉娄何翔
- 关键词：有机太阳能电池基板物理化学性能
- 有机太阳电池活性层薄膜的光电性能研究
- 2008年
- 采用旋转涂覆方法制备了常用于有机太阳电池活性层的MEH-PPV聚合物薄膜及其单层夹心结构器件,通过透射光谱测量研究了薄膜的折射率、消光系数、介电常数、光导率和禁带宽度等光学常数,结果表明该薄膜具有直接带隙半导体的光学性质,其直接禁带宽度为2.17 eV。另外,通过分析器件的电流-电压特性研究了薄膜的电导率和载流子迁移率等电学性质。这些实验结果对于有机太阳电池的结构设计及其优化具有一定的参考价值。
- 钟志有顾锦华
- 关键词：有机太阳电池光学性质电学性质
- 退火对聚合物有机发光器件的影响被引量：5
- 2003年
- 制作了结构为ITO/MEH PPV/Al的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30%左右,器件的寿命增加40%左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大。
- 尹盛刘卫忠刘陈钟志有王长安
- 关键词：退火PLED平板显示温度
