周劲
- 作品数：12 被引量：6H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金航天支撑技术基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AlGaN/GaN弱耦合多量子阱共振隧穿
- ＜正＞GaN 和 AlN 的禁带宽度分别为3.4eV 和6.2eV,因此 AlGaN/GaN 异质结的导带带著可以很大范围根据 AlGaN 合金组分调节（从0到1.95eV）,而且在 GaN 中电子饱和速度很高（＞107...
- 周劲
- 关键词：共振隧穿量子输运
- 文献传递
- X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜(英文)被引量：1
- 2001年
- 氮化物研究在 90年代取得显著进步 ,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管。由于氮化镓与衬底(如 :蓝宝石 ,碳花硅 )间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配 ,外延膜中有非常高的位错密度。研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象 ,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度。Φ扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性 ,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构。计算出螺位错密度为 :2 93× 1 0 9cm-2 和刃位错密度为 :5 2 5× 1 0 10 cm-2 。
- 周劲杨志坚唐英杰张国义
- 关键词：GANX射线分析
- GaN复合衬底及InGaN双异质结的生长及特性的研究
- GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题没有得到解决.该论文集中于氮化物半导体材料的生长...
- 周劲
- 关键词：拉曼谱
- 一种高迁移率晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种高迁移率晶体管及其制备方法，属于功能性电子器件领域。该发明利用高迁移率的双层或三层石墨烯薄膜作为电子输运沟道，其导电特性受到应力和掺杂特性调制，当在栅端加电压调节沟道中的电流，从而实现了HEMT器件的功能...
- 周劲傅云义
- 文献传递
- 基于CMI及差分电流的紫外读出集成电路的研究被引量：1
- 2009年
- 本文提出了一种基于电流镜镜像积分(CMI)及差分电流结构的GaN紫外探测器读出电路结构,分析了该读出电路结构的工作原理及特点。通过SPICE对电路结构进行了仿真验证,结果显示该读出电路结构可以对探测器的光响应电流信号进行有效的读取。
- 王翔蔡波郭睿刘继忠高晓颖王丽娜周劲
- 关键词：CMIROICSPICE
- 一种高迁移率晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种高迁移率晶体管及其制备方法，属于功能性电子器件领域。该发明利用高迁移率的双层或三层石墨烯薄膜作为电子输运沟道，其导电特性受到应力和掺杂特性调制，当在栅端加电压调节沟道中的电流，从而实现了HEMT器件的功能...
- 周劲傅云义
- 文献传递
- AlGaN/GaN MSM紫外探测器结构中肖特基结特性
- 在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触,讨论测量获得肖特基的I...
- 周劲郝一龙武国英杨志坚张国义
- 关键词：紫外探测器
- 文献传递
- X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜被引量：3
- 2001年
- 氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.
- 周劲杨志坚唐英杰张国义
- 关键词：GANX射线分析
- AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性
- 2005年
- 在蓝宝石衬底上,用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品。溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触。随着退火时间的增加,金属-半导体-金属(MSM)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性,但C-V曲线逐渐失去其对称性。MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应。
- 周劲郝一龙武国英杨志坚张国义
- 关键词：肖特基MSM氮化镓紫外探测器
- AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性
- 2005年
- 在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触.随着退火时间的增加,MSM(金属-半导体-金属)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性,但C-V曲线逐渐失去其对称性.MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应.
- 周劲郝一龙武国英杨志坚张国义
- 关键词：ALGAN/GAN
