丁澜
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：苏州科技学院数理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金绍兴市科技计划项目苏州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 石墨烯/Si晶体管的研究进展被引量：1
- 2011年
- 石墨烯具有很多优异的力学、电学和结构特性,可用于制备高速、低功耗的半导体电子器件和集成电路芯片。简要介绍了三种石墨烯/Si的制备方法,即剥离法、外延法、剪切和选择转移印刷法,其中外延生长的石墨烯被认为是最终实现碳集成电路的唯一途径。并给出了采用上述方法制备的石墨烯/Si晶体管的电阻、磁阻、载流子迁移和输运特性以及量子霍尔效应(QHE)等电学特性。发现石墨烯/Si晶体管最高频率达155GHz,在室温下具有异常的量子霍尔效应和分数量子霍尔效应。其电荷载流子浓度在电子和空穴之间连续变化,可高达1013 cm-2,迁移率可达2×105 cm2/(V.s)。
- 丁澜马锡英
- 关键词：石墨烯电学特性磁学特性
- 石墨烯薄膜的化学气相法制备及光、电特性研究被引量：2
- 2012年
- 利用化学气相沉积方法制备了石墨烯薄膜,并研究了其光电特性。以乙醇做反应原料、氩气作为携载气体,在873 K、973 K、1 073 K的温度下合成石墨烯薄膜。应用光学显微镜观察,发现在1 073 K时能够制备大面积均匀、平整光滑的石墨烯薄膜。纳曼光谱分析结果表明:制备的石墨烯薄膜出现2 650 cm-1的石墨烯的特征峰-D强峰,同时该峰强度随温度的升高而迅速增强,说明低温不能使沉积的碳原子有效的石墨化为石墨烯,而较高的温度有助于乙醇分解并石墨化为石墨烯薄膜。在1 073 K时沉积的石墨烯薄膜具有良好的光、电特性,其电子迁移率可以达到104 cm2.(V.s)-1,光透射率达97%,因此,可用于制备石墨烯晶体管、太阳能电池等光电子器件。
- 祖丰硕王滩石岩朱峰丁澜张浩董洁雯马锡英
- 关键词：石墨烯化学气相沉积电子迁移率
- 锗/硅量子点形貌随退火温度的变化与电学特性研究
- 2011年
- 研究了锗(Ge)量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在300℃温度、p-硅(100)基片上沉积了锗量子点薄膜,然后分别在400℃、500℃、600℃温度下退火。应用原子力显微镜(AFM)系统地观察了锗量子点薄膜的二维、三维图像,发现原位生长的锗量子点尺寸起伏大、薄膜表面比较粗糙。退火后,锗量子点分布趋于均匀,并且随退火温度的升高,量子点呈一定的取向排列,表面变得平整。通过电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试,发现锗量子点薄膜具有良好的电学特性。随退火温度的升高,电流、电容显著增大,漏电流减小,说明退火后,锗量子点薄膜晶界和粗糙度减小,使样品的表面、界面特性更好。
- 楼曹鑫丁澜马锡英黄仕华
- 关键词：退火形貌原子力显微镜I-V
- SiGe纳米环的制备与电磁特性研究进展被引量：1
- 2010年
- SiGe纳米环、纳米螺绕环具有优异的电学、力学等性质,已成为非常重要的三维半导体纳米材料,在传感器、纳米电子学及纳机电系统中具有广阔的应用前景。简单介绍了制备SiGe纳米环、纳米螺绕环的方法,包括化学气相沉积法、分子束外延法和脉冲激光法,并介绍了SiGe纳米环形成的主要原因和相关的应用。SiGe纳米环是在Si和Ge间的横向应力作用下形成的,这种纳米环的电导对纳米环的曲率和外加磁场非常敏感。在外加磁场恒定的情况下,电导随曲率的增大而逐渐减小;当达到某一临界点后,又随曲率的增大而逐渐增大。可以应用外加电压控制SiGe纳米环的弯曲程度,成为纳米尖、黏性探头、挂钩和原子力显微镜悬臂梁等应用于纳米传感器、纳米探头及纳米机电系统中。
- 丁澜马锡英黄仕华
- 关键词：纳米机电系统纳米传感器
- Mn掺杂的Si的电磁特性研究
- 稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors)是指在Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅱ-Ⅴ族或Ⅳ-Ⅵ族化合物中掺入磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分代替非磁阳离子的一类新半导体材料。稀磁半导体可以制备...
- 丁澜
- 关键词：稀磁半导体电子自旋锰掺杂居里温度磁控溅射法
