公共文化服务平台

半导体超晶格高频放大效应的研究: 2011年; 在直流电场和太赫兹频率交流光电场下,通过弛豫时间近似下半经典的玻尔兹曼输运理论研究了半导体超晶格微带电子的高频响应及太赫兹激光辐射的产生和放大可行性,并发现在微带中布拉格反射导致的高频放大共振可以利用交流的探测激光场观察到.; 胡波黄仕华; 关键词：超晶格太赫兹高频响应高频放大

激光诱导烧结对TOPCon太阳电池接触性能影响: 2024年; 激光诱导烧结又称为激光增强接触优化(LECO),可以显著降低TOPCon太阳电池金属电极与硅之间的接触电阻,提高电池效率.首先,本文研究了反向偏压、激光强度等LECO工艺参数对TOPCon电池性能的影响,并对其影响机理进行了详细的讨论与分析.其次,研究了二次高温烧结与二次LECO工艺对电池性能的影响.当二次烧结温度从280℃升高至680℃时,电池效率从26.35%急剧下降至1.3%.但是,对经过二次高温烧结的电池片再进行二次LECO处理,电池效率可以恢复到二次高温烧结前的水平.采用改良后的纯银浆料制备的TOPCon电池,在没有经过LECO处理之前,由于银电极与硅没有形成有效的金属半导体接触,电池平均效率只有0.02%.经过LECO处理后,使用纯银浆料的电池效率提升至26.35%,比使用传统银铝浆料的参考电池提高了0.41%.最后提出了LECO工艺诱导银-硅接触形成的物理模型,对二次高温烧结及二次LECO处理如何影响电池性能给出了合理的解释,这对于进一步理解和优化LECO工艺在TOPCon太阳电池中的应用具有重要意义.; 谢一博方超炎陈德爽何悦黄仕华; 关键词：太阳电池

基于苝二酰亚胺敏化的晶体硅太阳能电池及其制备方法: 本发明公开了一种基于苝二酰亚胺敏化的晶体硅太阳能电池，包括N型单晶硅基底层，基底层正面依次为烷基化‑苝硅层、苝二酰亚胺层，基底层背面为叉指接触层，所述的叉指接触层包括条纹状重复的氧化钼‑氧化铝‑氟化锂‑氧化铝条带，其中氧...; 黄仕华鲁章波池丹李林华楼刚

前表面局部多晶硅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法: 本发明公开了一种前表面局部多晶硅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法，方法步骤包括硅片清洗、正面生长氧化硅层、本征非晶硅薄膜，对本征非晶硅薄膜进行两次硼掺杂形成p++多晶硅，并制绒蚀刻；在背面本征非晶硅...; 黄仕华李林华胡雪峰

一种碳氧化硅薄膜及阻变存储器: 本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料，其分子式为SiCxOy，其中x=1.21~0.21，y=1.45~...; 黄仕华陈达

四甲基胍单晶硅片湿法制绒工艺研究被引量：1: 2022年; 首次采用有机碱——四甲基胍替代传统的氢氧化钠或氢氧化钾作为制绒刻蚀剂,邻苯二酚和硅酸钠作为制绒添加剂进行单晶硅片制绒,并通过实验对不同四甲基胍浓度、邻苯二酚浓度、反应温度、反应时间对单晶硅片制绒的影响进行了分析。研究结果表明:制绒后单晶硅片表面的金字塔分布密集、大小均匀;在400~1000 nm的波长范围内,单晶硅片的平均反射率为9.16%,比采用传统的碱醇制绒体系制绒时获得的反射率低;同时,该制绒方法还消除了传统制绒刻蚀液中金属离子对单晶硅片的污染。; 赵徐禛张嘉华康桥黄仕华; 关键词：四甲基胍单晶硅片反射率

一种晶体硅体寿命的精确测量方法: 本发明公开了一种晶体硅体寿命的精确测量方法，该方法通过准稳态光电导法测少数载流子寿命，准稳态少子寿命测量法可以准确快速地得到硅片少子寿命的真实值，该有效少子寿命包括体寿命和表面复合寿命，在硅片表面复合情况相同的前提下，然...; 黄仕华黄玉清

具有宽特征尺度的掺铝氧化锌薄膜制备方法: 本发明公开了一种具有宽特征尺度的掺铝氧化锌薄膜制备方法，利用磁控溅射在玻璃基片上生长一层AZO薄膜；利用稀盐酸与丙烯酸混合液对AZO薄膜进行腐蚀，获得大特征尺度的光俘获结构；在腐蚀后的AZO薄膜上利用磁控溅射再生长一层A...; 黄仕华陆肖励井维科

一种多晶硅薄膜及其低温制备方法: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的低温制备方法，属于多晶硅薄膜制备领域，包括以下步骤：(1)对衬底进行清洗和吹干；(2)真空室抽真空，气压达到10-6Torr以上，采用真空磁控溅射的方法在衬底上沉积非晶硅薄...; 郝亚非张若云井维科黄仕华

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

黄仕华