许晓欣
- 作品数：74 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学交通运输工程更多>>
- 一种阵列器件的测试电路及装置
- 本发明涉及一种阵列器件的测试电路及装置，其中，测试电路包括源表、第二开关、第三开关和输出接口；第二开关和第三开关为相同的多通道模拟开关；第二开关的固定端连接源表的force端，第三开关的固定端连接源表的sense端；第二...
- 余兆安姚志宏吴飞宏董大年黄泓键许晓欣
- 融合型存储器
- 本公开提供一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；铁电层，位于沟道区之上；栅极，位于铁电层之上。本公开的融合型存储器使存储单...
- 吕杭炳罗庆许晓欣龚天成刘明
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- 用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法
- 本发明公开了一种用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法，该方法包括：提供基底；在基底上方形成下电极；在下电极上方形成第一金属氧化物层；对第一金属氧化物层进行退火处理，以使下电极内的金属原子扩散进入第一金属氧化物层，形...
- 刘明罗庆许晓欣吕杭炳龙世兵刘琦
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- 一种对RRAM存储器保持时间参数进行测试的方法
- 本发明公开了一种对RRAM存储器的保持时间参数进行测试的方法，包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，根据RRAM存储器所处状态，给RRAM存储器加载用户设定编程电压或擦除电压；加载编程电压时，通过不断地读取通过RRAM...
- 龙世兵王国明张美芸李阳许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
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- 神经网络运算系统
- 本公开提供一种神经网络运算系统，包括：运算阵列，包括运算单元，各运算单元包括：源极端、漏极端和栅极，栅极下方的阈值电压调整层，以及源极和漏极区域之间延伸的沟道区，所述阈值电压调整层位于沟道区上方；运算阵列的每列运算单元的...
- 吕杭炳许晓欣罗庆刘明
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- 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
- 本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，该方法包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向...
- 龙世兵王国明张美芸李阳许晓欣刘红涛吕杭炳刘琦刘明
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- 自旋电子神经元器件及相关方法、装置和电子设备
- 本申请提出了一种自旋电子神经元器件及建模方法、脉冲神经网络训练方法，该自旋电子神经元器件包含两端电极，位于两个电极之间由多层膜构成的传输组件，以及部署在传输组件的不同位置的多个输出组件，这样，可以选择不同输出组件工作，改...
- 邢国忠汤瑞丰王迪许晓欣刘明
- 一种RRAM的读取电路及读取方法
- 本发明涉及一种RRAM的读取电路及读取方法，属于半导体存储器技术领域，解决了现有技术中参考单元使RRAM芯片面积变大，成本变高，功耗较大，RRAM可靠性差的问题。一种RRAM读取电路包括：RRAM单元、放大器、反相器；R...
- 许晓欣赖锦茹孙文绚郑旭董大年余杰樊邵阳
- 一种自选通阻变存储器件及其制备方法
- 本发明公开了一种自选通阻变存储器件及其制备方法，该自选通阻变存储器件包括：下电极；绝缘介质层，与所述下电极垂直交叉设置形成堆叠结构，所述堆叠结构中设置有一垂直沟槽；选通层，通过自对准技术生长在所述下电极上，其中，流经所述...
- 吕杭炳刘明许晓欣罗庆刘琦龙世兵
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- 一种忆阻器阵列的阻值调制测试系统被引量：1
- 2021年
- 忆阻器因操作速度快、单元结构简单和易于三维集成等特性而被广泛研究。对忆阻器电阻调制是实现多值存储和存算一体的基础。由于忆阻器单元在操作过程中有读验证,需要在脉冲激励和读验证之间不断切换,在阻值调制过程中,切换频率尤为频繁,然而,商用集成电路测试机采用继电器的切换方式具有寿命短和切换时间长等缺点,难以满足测试要求。基于此,以MCU为主控制器,采用多通道DAC和ADC来实现脉冲激励和电流测量,采用4级量程来扩大阻值测量范围,采用高速模拟开关切换脉冲操作和读验证来提高测试速度,采用多次等幅度与幅度渐变组合的方式来对阻值进行精细化调控,编写测试软件,设计了一款忆阻器阵列的测试系统。通过在华力40 nm工艺的256 KB忆阻器阵列的验证,测试结果显示,该系统能够满足忆阻器阵列基本操作和阻值调制功能。
- 余兆安董大年姚志宏许晓欣吕杭炳
- 关键词：测试系统
