范世
- 作品数：16 被引量：46H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术核科学技术更多>>
- 微量杂质在 BGO Bridgman 生长和性质上的行为被引量：3
- 1991年
- 在 Bridgman 生长的 BGO 闪烁单晶中,含量为 10^(-4)～10^(-6)wt%的 Fe、Pb、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Al 等微量杂质主要来源于原料和工艺过程中的局外污染。铂从坩埚上被侵蚀进入 BGO 熔体,其含量<2×10^(-5)wt%。用 AAS 和 ICP 分析测定了 Bridgman 生长中微量杂质的有效分凝系数。过渡金属杂质,特别是 Fe,使 BGO 染色并引起辐照损伤,形成300～700nm 范围的强吸收谱,致使 BGO 单晶的能量分辨率、相对荧光输出下降约10—20%。在辐照损伤下形成的 Fe、Pb 杂质色心,受热时形成晶体的热发光。
- 范世
- 关键词：锗酸铋BGO晶体晶体生长
- 布里奇曼法生长的Li_2B_4O_7晶体的X射线形貌观察被引量：2
- 1994年
- 本文通过Ｘ射线衍射形貌术观察了布里奇曼法（ＢＲ）生长和加速坩埚旋转的布里奇曼法（ＡＣＲＴ－ＢＲ）生长的Ｌｉ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７单晶中的缺陷。晶体中的缺陷以亚晶界和位错为主。同时结合晶体生长和晶体结构对缺陷的成因及消除方法进行了讨论。
- 徐一斌范世奚同庚杨平蒋树声
- 关键词：布里奇曼法晶体生长
- 硅酸铋(BSO)晶体闪烁性能研究被引量：8
- 1997年
- 报道对ＢＳＯ晶体闪烁性能研究的若干结果。包括晶体的激发光谱和荧光光谱、光产额、发光衰减时间和抗辐照能力等特性。
- 何景棠朱国义陈端保陈端保李祖豪董晓黎范世李祖豪林雅芳卞建国徐家跃
- 关键词：硅酸铋晶体光产额辐照损伤
- 铌酸锶钡铁电晶体的生长研究
- 四方钨青铜型铌酸锶钡(SrBaNbO)晶体具有较大的电光和热电系数以及优良的光折变特性,在热电探测、全息数据存储、电光调制等方面具有潜在的应用。光学应用的大块SBN 单晶大多由提拉法获得。提拉法生长SBN 所遇到的两个主...
- 徐家跃童健范世
- 关键词：坩埚下降法晶体生长
- 文献传递
- Li<,2>B<,4>O<,7>晶体开裂及其机理研究
- 研究了坩埚下降法生长Ｌｉ〈，２〉Ｂ〈，４〉Ｏ〈，７〉晶体的开裂问题。根据晶体开裂形态的分析，结合该晶体的结构和热物理特性讨论了晶体开裂的起因和机理，探讨了消除晶体开裂的一些措施。
- 徐家跃范世
- 关键词：开裂反应
- 过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体闪烁性能的研究被引量：9
- 1999年
- 本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律．
- 费一汀孙仁英范世
- 关键词：坩埚下降法掺杂BSO晶体铬
- 工业应用氧化物闪烁晶体的下降法生长(英文)被引量：3
- 2007年
- 闪烁晶体广泛应用于高能物理、核医学成像和辐射探测等领域。工业应用通常要求闪烁晶体具有高性能、大尺寸和低成本等。本文报道了中国科学院上海硅酸盐研究所在锗酸铋、钨酸铅和氧化碲等闪烁晶体工业化生长方面的最新研究进展,讨论了坩埚下降法作为工业晶体生长技术的优缺点。
- 徐家跃叶崇志储耀卿廖晶莹葛增伟范世
- 关键词：下降法锗酸铋钨酸铅氧化碲
- 钼酸铅晶体中的两大类液相包裹物被引量：1
- 1989年
- 本文通过 PM 晶体的光学显微、电子探针形貌和成分像观察,详细论证了 PM 晶体中的两类球状液相包裹物,确定了它们的性质、化学组成及形成原因。PM 晶体中片状脱溶相和球状液相包裹物是形成该晶体激光散射的主要原因。
- 范世
- 关键词：晶体
- 四硼酸锂晶体圆片的加工与表征被引量：3
- 1996年
- 介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明。
- 徐家跃范世马山豆
- 关键词：圆片声表面波压电晶体
- Bi_2O_3-SiO_2系统相图的研究被引量：12
- 1998年
- 本文通过DTA和XRD研究了Bi2O3－SiO2二元系稳定相平衡和亚稳定相平衡，并绘制了该系统完整的相图，发现在稳定相图富SiO2一侧存在包晶反应L＋SiO2Bi4Si3O12，包晶等温线大约在1030℃，Bi4Si3O12确定为近一致熔融化合物，并且用淬火微结构的方法确定了包晶反应的液相线．在Bi2O3－SiO2系统的亚稳定相平衡中研究了它的析晶行为，亚稳定相Bi2SiO5冷却时在845℃左右析晶．
- 费一汀范世孙仁英M.Ishii
- 关键词：相关系相平衡氧化硅氧化铋相图
