费一汀
- 作品数：16 被引量：39H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- Bi_2O_3-SiO_2系统的相关系和析晶行为的研究进展被引量：12
- 1997年
- 本文介绍了Bi2O3－SiO2系统的研究进展．首先对该系统的稳定相平衡和亚稳定相平衡进行了综述，然后讨论了该系统中化合物Bi12SiO20、Bi4Si3O12和Bi2SiO5的结构、性能、生长、应用等方面的情况，预计Bi2SiO5将成为一种有前途的新功能晶体．
- 费一汀范世
- 关键词：相关系氧化铋氧化硅析晶行为相平衡
- 硅酸铋(BSO)晶体闪烁性能研究被引量：8
- 1997年
- 报道对ＢＳＯ晶体闪烁性能研究的若干结果。包括晶体的激发光谱和荧光光谱、光产额、发光衰减时间和抗辐照能力等特性。
- 何景棠朱国义陈端保陈端保李祖豪董晓黎范世李祖豪林雅芳卞建国徐家跃
- 关键词：硅酸铋晶体光产额辐照损伤
- 过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体闪烁性能的研究被引量：9
- 1999年
- 本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律．
- 费一汀孙仁英范世
- 关键词：坩埚下降法掺杂BSO晶体铬
- Eu掺杂对Bi_4Si_3O_(12)单晶体闪烁性能的影响
- 2000年
- Bi4Si3 O12 (简称BSO)是一种新型快计时闪烁晶体 ,作为闪烁体Bi4Ge3 O12 (BGO)的最佳替代品之一 ,BSO晶体近年来已引起了人们广泛的兴趣 ,高度的机械和化学稳定性以及优良的发光特性使得BSO晶体成为有发展前途的闪烁体之一 ,在某些方面已经可以代替BGO ,例如高能正负电子存储环探测器中的BSO量能器。本文采用坩埚下降法 (Bridgmanmethod)生长出不掺杂及Eu掺杂 (掺杂浓度为 0 .2mol% )的BSO单晶 ,生长条件为 :Pt为坩埚材料 ,坩埚底部带籽晶 ,下降速度 0 .2～ 0 .5mm/h ,空气气氛下半密封生长。将长成的晶体毛胚加工成供性能测试用的样品 ,尺寸分别为BSO :1 7.0mm×1 6 .0mm× 1 4.7mm ,Eu∶BSO :1 0 .7mm× 7.6mm× 6 .4mm。在日本ShonanInstituteofTechnology测试了BSO及Eu∶BSO晶体的透射光谱 ,激发及发射光谱 ,光产额及FWHM能量分辨率 ,衰减常数 ,抗辐照损伤等性能 ,结果表明 (如表 1所示 ) ,晶体均具有良好的光透过性 ,Eu掺杂对BSO晶体的光产额影响不大 ,却大大提高了BSO的抗辐照硬度。这是由于Eu∶BSO晶体被激发时 ,晶体中的Eu3 +作为电子陷阱能与氧空位争夺并俘获晶格中的大部分自由电子 ,因此在同样辐照条件下Eu掺杂的BSO晶体具有更低的色心浓度 ,这有助于提高BSO的抗辐照硬度 ,从而改善了它的闪?
- 费一汀范世孙仁英M.Ishii
- 关键词：掺杂
- Bi_2SiO_5的亚稳定相平衡的研究被引量：13
- 1999年
- 通过ＤＴＡ和ＸＲＤ研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统及其化合物Ｂｉ２ＳｉＯ５（１∶１相）的亚稳定相平衡，发现亚稳相Ｂｉ２ＳｉＯ５的析晶温度大约为８４５℃．在Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统的广泛区域内（ＳｉＯ２摩尔分数大于３０％）熔体冷却时易于自发成核析出Ｂｉ２ＳｉＯ５相，并且该相在进一步冷却时无其它相变产生，直到室温下也可稳定存在．
- 费一汀范世骥孙仁英王锦昌谢华清
- 关键词：氧化铋氧化硅相平衡
- Bi_4Si_3O_(12)熔体的析晶行为被引量：3
- 1997年
- 范世孙仁英吴金娣费一汀（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）ＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＣｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＢｉ４Ｓｉ３Ｏ１２ＭｅｌｔＦａｎＳｈｉｊｉＳｕｎＲｅｎｙｉｎｇＷｕＪｉｎｄｉＦｅｉＹｉｔｉｎｇ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕ...
- 孙仁英吴金娣费一汀
- 关键词：硅酸铋析晶行为熔体
- 赝二元系CaF_2-LiAlF_4相图
- 2000年
- 通过差热分析 (DTA)和X射线粉末衍射 (XRD)方法研究了赝二元系CaF2 -LiAlF4 的相平衡关系 .该赝二元系在CaF2 ∶LiAlF4为 1∶1处形成一致融熔化合物LiCaAlF6 ,其熔点为 81 4℃ ,并分别在LiAlF4 摩尔分数为 88%和 4 1 %处出现两个共晶点 ,其共晶温度分别为 692℃和 783℃ .对照该体系的相图 ,按摩尔比LiF∶CaF2 ∶(AlF3+CrF3) =1∶1∶1的组成配料 ,采用密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸的氟化物激光晶体Cr3+ ∶LiCaAlF6 .
- 陈红兵范世驥费一汀
- 关键词：氟化钙晶体生长相图
- 无机闪烁晶体的生长技术被引量：3
- 1998年
- 综述了无机闪烁晶体的提拉法、下降法、热交换法、浮区法、泡生法、助熔剂法等生长技术,其中最常用的是前两种方法。同时就某些典型的闪烁晶体讨论了上述生长技术的优缺点。
- 费一汀徐家跃
- 关键词：闪烁晶体提拉法晶体生长
- 稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体的生长与性能被引量：6
- 1999年
- 本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ×２０ｍｍ×１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、ＦＷＨＭ能量分辨率和激发－发射光谱。总结并解释了掺杂影响Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体闪烁性能的规律，探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。
- 费一汀孙仁英
- 关键词：掺杂稀土元素硅酸铋晶体晶体生长光学性
- Bi_3O_3-SiO_2系统的相关和新功能晶体Bi_4Si_3O_(12)的生长及性能表征
- 费一汀
- 关键词：析晶行为坩埚下降法性能表征
