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瞿伟

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇INP
  • 2篇MIS结构
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇低阈值
  • 1篇淀积
  • 1篇深能级
  • 1篇能级
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇介质膜
  • 1篇化学汽相淀积
  • 1篇基横模
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇脊形
  • 1篇脊形波导
  • 1篇横模
  • 1篇俄歇电子谱法
  • 1篇NY
  • 1篇OX

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇瞿伟
  • 2篇卢励吾
  • 2篇周洁
  • 2篇张盛廉
  • 1篇毕可奎
  • 1篇肖建伟
  • 1篇张敬明
  • 1篇陈良惠
  • 1篇郑婉华
  • 1篇杨国文
  • 1篇徐遵图
  • 1篇徐俊英

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1995
  • 2篇1993
  • 1篇1992
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器被引量：4
1995年
本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．
徐遵图杨国文肖建伟徐俊英张敬明郑婉华瞿伟陈良惠毕可奎
关键词：ALGAAS
不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究被引量：1
1992年
对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间InP 一侧有若干界面陷阱存在,获得了与界面陷阱有关的深能级参数.这些陷阱的来源可能是:(1)介质膜淀积过程中InP表面部分P原子挥发造成的P空位;(2)InP衬底材料中的原生缺陷;(3)介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤.
卢励吾周洁瞿伟张盛廉
关键词：介质膜MIS结构
ＩｎＰ－ＳｉｏｘＮｙ膜界面淀积磷工艺研究
瞿伟
关键词：磷俄歇电子谱法化学汽相淀积
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
1993年
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。
卢励吾周洁瞿伟张盛廉
关键词：MIS结构深能级INP
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共1页<1>
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