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周洁

作品数：31 被引量：15H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 9篇理学

主题

  • 12篇能级
  • 11篇深能级
  • 8篇半导体
  • 7篇砷化镓
  • 6篇硅
  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 5篇DX中心
  • 5篇GAAS
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇深中心
  • 3篇瞬态
  • 3篇分子束外延生...
  • 3篇半导体材料
  • 3篇SQW
  • 3篇MOCVD生...
  • 3篇X
  • 3篇PD
  • 2篇单量子阱

机构

  • 31篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇名古屋工业大...
  • 1篇曲阜师范大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇美国加州大学

作者

  • 31篇周洁
  • 20篇卢励吾
  • 10篇封松林
  • 5篇吴汲安
  • 4篇高季林
  • 3篇梁基本
  • 3篇孔梅影
  • 3篇韩志勇
  • 3篇徐俊英
  • 2篇贾英波
  • 2篇杨锡震
  • 2篇瞿伟
  • 2篇张大仁
  • 2篇张盛廉
  • 2篇李名复
  • 2篇孙景兰
  • 1篇司承才
  • 1篇王海龙
  • 1篇段树坤
  • 1篇谢茂海

传媒

  • 11篇Journa...
  • 6篇物理学报
  • 5篇红外与毫米波...
  • 4篇中国有色金属...
  • 3篇电子学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 7篇1994
  • 9篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1991
  • 3篇1990
  • 4篇1989
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRINSCH SQW激光器中高温陷阱的研究
1993年
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs gradedindex separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_(Al)=0.2→0.43和x_(Al)=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在X_(Al)=0.43的n-AlGaAs层里X_(Al)值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
卢励吾周洁徐俊英钟战天
关键词：分子束外延
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
1993年
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。
卢励吾周洁瞿伟张盛廉
关键词：MIS结构深能级INP
分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究被引量：1
1993年
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high elec-tron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10^(15)-10^(17)cm^(-3)和俘获截面(10^(-16)cm^2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧含量有关。实验结果还表明,DLTS技术有可能成为器件优化设计的一种工具。
卢励吾周洁梁基本孔梅影
关键词：晶体管能级电子迁移率
硅中与钼有关能级的研究被引量：2
1992年
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,并通过电子辐照、等时热退火等物理过程,鉴别了Si中与钼有关能级的本质.钼在Si中产生两个主要能级E(0.53)和H(0.36),前者为受主态,后者为施主态,这两个能级都与替位Mo原子有关.
周洁卢励吾韩志勇吴汲安
关键词：硅钼能级电子辐照
Hg_(1-x)Cd_xTe深缺陷能级研究
1994年
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p^+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空穴陷阱,电子陷阱的能级位置分别为E(0.06)和E(0.15),空穴陷阱的能级位置分别为H(0.075)和H(0.29).这些深能级的浓度约为浅能级浓度的百分之几.通过改变注入脉冲的宽度,测量了这些能级的多子俘获截面,根据这些深能级的特征参数,估算了器件的少子寿命和零偏压的动态电阻与面积的乘积,并讨论了一些缺陷能级的本质.
周洁封松林卢励吾司承才李言谨胡晓宁
关键词：深能级瞬态谱HGCDTE
低压－金属有机物汽相外延生长的Ga＿（1－x）In＿xAs／InP激光器中深能级的研究
1994年
应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ＿ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３５ｅＶ）陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｚｎ和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｈ２（Ｅ＿ｖ＋０．１１ｅＶ）和Ｅ２（Ｅ＿ｖ－０．４２ｅＶ）陷阱则可能是Ｈ１和Ｅ１与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。
卢励吾周洁封松林段树坤
关键词：半导体激光器能级汽相外延生长
４ｄ过渡金属Ｚｒ在ＧａＡｓ中的物理行为
马红周洁
关键词：半导体材料砷化镓锆
硅直接键合界面附近的深能级研究被引量：5
1994年
利用扩展电阻探针（ＳＲＰ）和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究了直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ￣（＋）－Ｓｉ界面附近的深能级。实验结果表明，在直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ￣（＋）－Ｓｉ界面ｎ－Ｓｉ一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３９ｅＶ）。Ｅ１可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的，其浓度在１０￣（１３）－１０￣（１４）ｃｍ￣（－３）之间。它可能是与制备键合材料的高温（１０００－１１００℃）处理过程中产生的空位和热应力有关。
卢励吾周洁封松林钱照明彭青
关键词：硅键合能级直接键合
GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心
1995年
采用结谱、光荧光等技术对Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中的光学和电学性质进行了研究．在ＧａＡｓ：Ｐｄ中观测到三个能级，分别位于导带下０．４ｅＶ、０．６０ｅＶ和价带上０．６９ｅＶ．在ＧａＡｓ：Ｚｒ中也观测到三个能级，分别位于导带下０．４３ｅＶ和价带上０．３２ｅＶ和０．５５ｅＶ．基于深中心所表现出的Ｐｏｏｌｅ－Ｆｒｅｎｋｅｌ效应，讨论了一些中心对应的荷电态，对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究．结果表明：Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中均不是有效的复合中心．
马红杨锡震周洁卢励吾封松林
关键词：砷化镓钯
氢对硅中4d过渡杂质的钝化被引量：1
1994年
本文研究了氢原子与Ｓｉ中４ｄ过渡杂质（Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ）引入深中心的相互作用，得到了Ｓｉ中这些深中心被钝化的难易程度．从钝化角度支持了Ｓｉ：Ｐｄ与Ｓｉ：Ｒｈ中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断，同时提出了Ｓｉ：Ｍｏ中Ｅ（０．５３）和Ｈ（０．１６）两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据，通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用，对氢的钝化机理作了初步探讨．
周洁王永康孙景兰卢励吾吴汲安
关键词：硅氢钝化
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