王贤仁
- 作品数：8 被引量：17H指数：3
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学冶金工程更多>>
- GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究被引量：2
- 2000年
- 研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化.
- 陈益栋刘兴权陆卫乔怡敏王贤仁
- 关键词：分子束外延砷化镓半导体ALGAAS
- 锰、钴、镍钨硅杂多酸盐的合成及性质研究被引量：4
- 1992年
- 对3种过渡金属钨硅杂多酸钾盐的组成及性质进行了研究,与12-钨硅酸钾比较表明,在Keggin阴离子骨架中,以空位或过渡金属Mn^(2+)、Co^(2+)、Ni^(2+)取代一个W^(6+)后,其W—O、Si—O键振动吸收频率、组成元素内层电子结合能、W—O多面体的可还原性、晶形、晶格大小及热稳定性都出现了明显变化,这些变化与过渡元素的性质相关联.
- 王俊吴志芸张恒彬赵仲清王贤仁魏诠
- 关键词：钨硅杂多化合物
- 低温烧结YSZ的显微结构和直流电导特性被引量：3
- 1991年
- 采用共沉淀方法合成 YSZ 微细粉料,经低温(1573K)烧成具有较高密度和较低气孔率的 YSZ 烧结体,测量了烧结体的组成、结构、密度和直流电导率,并通过对粉料形貌和烧结体的显微结构考察,总结和探索了粉料制备、坯体成型及烧结条件对材料的伏安特性,测量电流对电导率的影响,并对导电机制作了较深入的分析和讨论。
- 王贤仁王德君王启元胡春谭万林姜秀英吴志芸
- 关键词：YSZ烧结体显微结构
- 片式ZrO_2氧浓差电池的制作及其特性研究被引量：1
- 1991年
- 采用共沉淀方法制备YSZ粉料,经低温(1300℃)烧结,得到圆片状YSZ烧结体(Y_2O_3含量8mol%),采用热分解法涂制铂电极,采用新颖的热辐射压封法实现电解质圆片与Al_2O_3管封接,制成了氧浓差电池,测量了固体电解质的密度、电导率以及不同温度、不同氧分压、不同氧流量下浓差电池的电动势,通过电势一氧分压关系曲线和电势-氧流量曲线的实验测量,得到了与固体电解质电质、气体渗透性相关的参数。
- 王贤仁王启元王德君胡春谭万林姜秀英吴志芸
- 关键词：氧传感器
- 限流型氧传感器被引量：8
- 1998年
- 制作了具有快速响应和高度灵敏特点的限流型氧传感器，传感器再现性好，功耗小（＜５ｍＷ），在使用氧浓度范围（０～１０％）内输出线性良好。氧传感器应用温度范围是６８０～８００℃，最佳使用温度是７５０℃。
- 王贤仁王德君高强陈艳揣晓红马燕谭万林吴志芸
- 关键词：氧传感器固体电解质电化学传感器限流型
- InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量
- 1993年
- 本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.
- 卢革宇王贤仁苗忠礼程强关一民
- 关键词：双晶衍射X射线异质结
- 测量InGaAsP/InP异质界面的化学斜面法
- 1993年
- 本文利用AES(俄歇电子能谱)测量了InGaAsP/InP异质界面的组分分布和界面宽度,提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法.同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响.
- 卢革宇王贤仁苗忠礼关一民程强
- 关键词：异质结半导体
- 电化学气相沉积法(EVD)制备Y2O3—ZrO2薄膜
- 采用电化学气相沉积方法(EVD),于自制的EVD设备上,淀积了YO-ZrO(YSZ)固体电解质薄膜,并对薄膜的组成、结构、形貌、厚度等进行了XRD、SEM、XPS分析测试。结果表明:淀积的YSZ薄膜为全稳定立方晶相结构,...
- 马艳王瑞浩陈益栋刘传珍王贤仁
- 关键词：EVDYSZ
- 文献传递
