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陈益栋

作品数:11 被引量:6H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家攀登计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇GAAS
  • 4篇砷化镓
  • 4篇光学
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶薄膜
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇半导体
  • 3篇SRTIO
  • 2篇电极设计
  • 2篇像元
  • 2篇量子阱材料
  • 2篇光谱
  • 2篇光学读出
  • 2篇红外
  • 2篇红外目标
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测技术
  • 2篇ALGAAS
  • 1篇带间跃迁

机构

  • 9篇中国科学院
  • 3篇吉林大学

作者

  • 11篇陈益栋
  • 9篇陆卫
  • 7篇刘兴权
  • 5篇沈学础
  • 4篇李宁
  • 3篇窦红飞
  • 2篇史国良
  • 2篇陈效双
  • 2篇刘平
  • 2篇李志锋
  • 2篇王贤仁
  • 2篇李娜
  • 2篇付英
  • 1篇乔怡敏
  • 1篇马志锋
  • 1篇缪中林
  • 1篇袁先漳
  • 1篇陈平平
  • 1篇陈张海
  • 1篇马艳

传媒

  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2000
  • 6篇1999
  • 1篇1998
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
几种异质结构的分子束外延生长及特性研究
该论文主要进行了几种有关GaAs异质结构的生长及其特性的研究工作,具体内容如下:第一章介绍实验器系统及GaAs、AlGaAs外延的生长工艺. 实验系统主要包括MBE外延生长系统、RHEED实时监测系统及其工作原理、 与R...
陈益栋
关键词:GAASALGAAS光学特性半导体薄膜
文献传递
GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究被引量:2
2000年
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化.
陈益栋刘兴权陆卫乔怡敏王贤仁
关键词:分子束外延砷化镓半导体ALGAAS
GaAs/SrTiO_3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究被引量:2
1999年
报道了在钙钛矿型结构的 Sr Ti O3 衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的 Ga As半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ,研究了 Ga As 半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的 Ga As 体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钛矿型结构 Sr Ti O3 衬底上生长的 Ga As 单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性,在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了约5 倍.
陈益栋刘兴权陆卫史国良沈学础Q.X.ZHAOM.WILLANDER
关键词:砷化镓带间跃迁半导体单晶
电化学气相沉积法(EVD)制备Y2O3—ZrO2薄膜
采用电化学气相沉积方法(EVD),于自制的EVD设备上,淀积了YO-ZrO(YSZ)固体电解质薄膜,并对薄膜的组成、结构、形貌、厚度等进行了XRD、SEM、XPS分析测试。结果表明:淀积的YSZ薄膜为全稳定立方晶相结构,...
马艳王瑞浩陈益栋刘传珍王贤仁
关键词:EVDYSZ
文献传递
Al<,0.3>Ga<,0.7>As/GaAs表面量子阱在生长不同厚度Al层时的光调制反射光谱研究
系统地研究了不同厚度的GaAs表面量子阱,在生长不同厚度的Al层后得到的光调制光谱的变化。实验表明,对于Al层较小的表面量子阱样品,表面量子阱的调制光谱峰位发生了蓝移,而对于Al层较厚的样品,表面量子阱的峰趋向平坦。
缪中林陈益栋陆卫陈平平
关键词:GAAS分子束外延
GaAs/SrTiO<,3>外延单晶薄膜相关光学性质的研究
陈益栋刘兴权陆卫马志锋沈学础
关键词:单晶薄膜
无分立像元光学读出的量子阱红外焦平面芯片
本发明提供了一种无分立象元光学读出的量子阱红外焦平面芯片的设计。它可以把在芯片上的红外图像直接转换成可见光图象,从而把红外探测技术转换到可见光探测技术,使对红外目标成像的芯片在空间分辨上达到可见光成像的水平。还介绍了该芯...
陆卫陈效双刘兴权李宁李娜陈益栋刘平窦红飞付英W·马格纳斯
文献传递
GaAs/SrTiO_3 MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究被引量:1
2000年
利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了 Ga As/ Sr Ti O3外延单晶薄膜样品 ,研究了这种新型异质结构的晶格振动光学特性 .实验结果表明 :在钙钛矿型结构的 Sr Ti O3衬底上外延生长的 Ga As薄膜具有单晶结构 ,有与 Ga
陈益栋刘兴权李志锋陆卫沈学础
关键词:砷化镓钛酸锶单晶薄膜晶格振动
GaAs中Be受主的光热电离光谱研究被引量:1
2000年
应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果算得 Be受主的电离能为 2 8.6 me V.
袁先漳陆卫史国良陈益栋陈张海李宁沈学础
关键词:受主光热电离光谱砷化镓
无分立像元光学读出的量子阱红外焦平面芯片
本发明提供了一种无分立象元光学读出的量子阱红外焦平面芯片的设计。它可以把在芯片上的红外图像直接转换成可见光图象,从而把红外探测技术转换到可见光探测技术,使对红外目标成像的芯片在空间分辨上达到可见光成像的水平。还介绍了该芯...
陆卫陈效双刘兴权李宁李娜陈益栋刘平窦红飞付英W·马格纳斯
文献传递
共2页<12>
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