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王元

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 10篇金属
  • 8篇磷化铟
  • 6篇电路
  • 6篇发射极
  • 5篇晶体管
  • 5篇刻蚀
  • 5篇键合
  • 5篇衬底
  • 4篇异质结
  • 4篇异质结晶体管
  • 3篇导体
  • 3篇发射区
  • 3篇干法刻蚀
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体薄膜
  • 2篇单片
  • 2篇单片电路
  • 2篇导通
  • 2篇低损耗
  • 2篇电路工艺

机构

  • 22篇中国电子科技...

作者

  • 22篇王元
  • 17篇程伟
  • 9篇陈堂胜
  • 6篇孔月婵
  • 6篇牛斌
  • 6篇吴立枢
  • 5篇赵岩
  • 4篇朱健
  • 3篇常龙
  • 2篇陈征
  • 2篇陆海燕
  • 2篇刘海琪
  • 2篇高汉超
  • 1篇李忠辉
  • 1篇张勇
  • 1篇霍帅

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法
本发明是一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法，包括以下步骤：1）在磷化铟（InP）衬底上光刻一次布线图形，通过蒸发金属并进行剥离，实现一次布线金属图形化；2）旋涂BCB（Benzocyclobutene），并在...
王元程伟赵岩牛斌刘海琪陈征
一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法
本发明公开了一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法，步骤依次为：在目标衬底正面完成器件电路的制备，以及对准标记A阵列和对准标记B阵列的制备；将待转移半导体薄膜剥离转移到目标衬底晶圆正面；在转移至目标衬底上的半导体薄膜上，通过...
戴家赟王飞许理达吴立枢王元朱健陈堂胜
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一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作方法
本发明是一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极的制作方法：蒸发剥离方法制作发射极金属条形；淀积SiN薄膜；刻蚀形成SiN侧墙；湿法腐蚀发射区材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作；优点：Si...
牛斌王元程伟赵岩吴立枢陆海燕
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磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法
本发明为磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法，是一种磷化铟异质结晶体管蘑菇型发射极制作方法：使用干法刻蚀侧蚀量较大的金属制作下层发射极金属薄膜；使用干法刻蚀侧蚀量较小的金属制作上层发射极金属薄膜；光刻形成发...
牛斌王元程伟常龙谢俊领
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基于干法转移的碳纳米管阵列的柔性射频器件的制备方法
本发明公开一种基于干法转移的碳纳米管阵列的柔性射频器件的制备方法，具体为：1）刚性支撑层制备；2）碳纳米管阵列保护层制备；3）辅助层制备；4）全剥离揭膜；5）目标衬底贴附；6）阵列薄膜热释放转移；7）残胶清洗；8）低温退...
严可杨扬霍帅张勇王元李忠辉
一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法
本发明是一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其主要步骤如下：光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极金属；以发射极金属为掩膜，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉发射区；淀积介质薄膜以保护住基区材料；光刻基极图形，以基...
程伟王元高汉超
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一种柔性InP HBT器件及其制备方法
本发明公开了一种柔性InP HBT器件及其制备方法，器件包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上键合有键合层，所述键合层上结合有停止层，所述停止层上设置有InP HBT器件。制备方法为首先在InP衬底上正向生长带有停止层的I...
吴立枢戴家赟程伟王元孔月婵
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一种磷化铟背孔的制作方法
本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证...
常龙程伟王元
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一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法
本发明是一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法；蒸发发射极金属钛/铂/金；淀积二氧化硅薄膜；蒸发耐刻蚀金属掩膜层作为发射极金属的刻蚀掩膜；涂胶并完成亚微米发射极图形光刻；利用感应离子耦合刻蚀机刻蚀金属掩膜；去除光...
牛斌王元程伟赵岩
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一种太赫兹频段在片TRL校准件及其制备方法
本发明提供了一种太赫兹频段在片TRL校准件及其制备方法，该校准件包括由下至上依次设置的衬底层、第一薄膜介质层、金属层以及第二薄膜介质层；所述第二薄膜介质层上表面设置有PAD接地金属件和PAD金属件以及金属标准件，所述PA...
孙岩程伟王元孔月婵陈堂胜
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