您的位置： 专家智库 > >

牛斌

作品数：39 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 12篇肖特基
  • 12篇二极管
  • 12篇波导
  • 10篇肖特基二极管
  • 7篇电路
  • 7篇磷化铟
  • 7篇金属
  • 7篇空气桥
  • 6篇刻蚀
  • 6篇光波
  • 5篇探测器
  • 5篇芯片
  • 4篇单片
  • 4篇端面耦合
  • 4篇信号
  • 4篇阳极
  • 4篇异质结
  • 4篇异质结晶体管
  • 4篇晶体管
  • 4篇光波导芯片

机构

  • 39篇中国电子科技...

作者

  • 39篇牛斌
  • 9篇陈堂胜
  • 9篇顾晓文
  • 6篇程伟
  • 6篇孔月婵
  • 6篇王元
  • 5篇赵岩
  • 5篇吴立枢
  • 4篇吴少兵
  • 2篇王维波
  • 2篇陈征
  • 2篇陆海燕
  • 2篇余旭明
  • 2篇刘海琪
  • 2篇陶洪琪
  • 2篇张凯
  • 2篇吴云
  • 1篇郁鑫鑫
  • 1篇常龙
  • 1篇顾晓文

传媒

  • 1篇光电子技术

年份

  • 5篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 7篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 39 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种异形超薄石英衬底太赫兹芯片的制备方法
本发明公开了一种异形超薄石英衬底太赫兹芯片的制备方法，包括：将正面具有太赫兹电路图形的石英晶圆倒扣并通过临时键合材料贴在临时载片上，通过砂轮减薄和化学抛光得到超薄石英衬底；经过光刻定义划片道区域，将划片道内的石英材料蚀穿...
王宇轩牛斌代鲲鹏吴少兵陈堂胜
一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法
本申请公开了一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法，包括以下步骤：生长外延薄膜：在砷化镓衬底上通过分子束外延方法依次沉积非掺杂铟镓磷In<Sub>0.48</Sub>Ga<Sub>0.52</Sub>P层、纳米硅高...
王宇轩牛斌代鲲鹏孔月婵陈堂胜
一种自对准的GaN肖特基二极管及其制造方法
本发明涉及一种自对准的GaN肖特基二极管及其制造方法，属于半导体器件制备技术领域。该二极管包括衬底、n+GaN层、n‑GaN层、T型阳极和空气桥；所述衬底上方设有隔离槽，所述n+GaN层上方设有阴极，所述n‑GaN层与所...
张凯代鲲鹏陈韬牛斌朱广润陈堂胜
一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法
本发明是一种肖特基二极管T型阳极接触空气桥电极制作方法：包括在轻掺杂半导体材料上光刻出A直径的阳极接触孔；在A直径阳极接触孔上套刻出B直径阳极接触孔；采用蒸发剥离工艺形成T型阳极接触金属；光刻形成空气桥下层胶；光刻形成空...
牛斌吴少兵范道雨
文献传递
一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法
本发明公开了一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法，包括：S1，在GaAs衬底晶圆上生长AlGaAs外延层；S2,将AlGaAs外延层上法的粘附剂与临时载片进行键合；S3，通过刻蚀或腐蚀完全去除GaAs衬底；...
牛斌戴家赟吴立枢王飞
一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法
本发明公开了一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法，包括在原衬底材料外延生长腐蚀停止层、n‑掺杂层，n+掺杂层，在通过光刻、金属化并退火形成正面欧姆接触,然后将材料正面与异质衬底键合，再完全去除原材料衬底及腐...
牛斌范道雨戴家赟
文献传递
一种硅基光波导间高效耦合结构及制作方法
本发明是一种硅基光波导间高效耦合结构及制作方法：其结构包括1）标准硅基光波导，宽度450‑500纳米，作为光器件的波导；2）锥形过渡波导，长度10‑20微米，作为不同宽度光波导之间的过渡波导；3）耦合区细波导，宽度380...
顾晓文牛斌
文献传递
一种实用化抗噪量子关联辅助的多用户纠缠分发量子网络
本发明公开了一种实用化抗噪量子关联辅助的多用户纠缠分发量子网络，所述多用户纠缠分发量子网络包括网络用户共享纠缠光子对源、波长分配模块、光纤链路和偏振分析模块；所述网络用户共享纠缠光子对源在偏振纠缠光子对中引入频率相关的量...
牛斌孔月婵陈堂胜
氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片及其制作方法
本发明是一种氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片及其制作方法，其结构包括氮化硅垂直耦合光栅、氮化硅光波导器件和石墨烯探测器；其中氮化硅垂直耦合光栅为光信号输入口，连接氮化硅光波导器件；氮化硅光波导器件对光信号进行处理，...
顾晓文吴云牛斌曹正义
文献传递
一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作方法
本发明是一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极的制作方法：蒸发剥离方法制作发射极金属条形；淀积SiN薄膜；刻蚀形成SiN侧墙；湿法腐蚀发射区材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作；优点：Si...
牛斌王元程伟赵岩吴立枢陆海燕
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0