您的位置： 专家智库 > >

吴俊

作品数：41 被引量：100H指数：7
供职机构：中国科学院研究生院更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：电子电信理学天文地球交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 5篇专利

领域

  • 28篇电子电信
  • 8篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 25篇分子束
  • 25篇分子束外延
  • 21篇碲镉汞
  • 13篇红外
  • 12篇焦平面
  • 11篇探测器
  • 9篇红外焦平面
  • 9篇衬底
  • 8篇CDTE
  • 8篇HGCDTE
  • 6篇焦平面探测器
  • 6篇SI基
  • 5篇红外焦平面探...
  • 4篇电学
  • 4篇退火
  • 4篇复合衬底
  • 4篇SI
  • 4篇HG
  • 4篇HGCDTE...
  • 4篇MBE

机构

  • 41篇中国科学院
  • 4篇中国科学院研...
  • 2篇同济大学

作者

  • 41篇吴俊
  • 37篇何力
  • 33篇巫艳
  • 27篇陈路
  • 25篇于梅芳
  • 16篇乔怡敏
  • 15篇王元樟
  • 11篇魏青竹
  • 7篇傅祥良
  • 7篇胡晓宁
  • 6篇方维政
  • 6篇丁瑞军
  • 5篇王伟强
  • 5篇叶振华
  • 4篇杨建荣
  • 3篇李言谨
  • 3篇徐非凡
  • 2篇陆卫
  • 2篇王建新
  • 2篇张勤耀

传媒

  • 9篇红外与毫米波...
  • 7篇激光与红外
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇第二届全国先...
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇首届全国先进...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇红外
  • 1篇岩石学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇2003年全...
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 8篇2007
  • 11篇2006
  • 10篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
共 41 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片
本发明公开了一种置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片，所述的探测器芯片由衬底、衬底上依次置有的缓冲层、响应红外目标辐射的光电二极管列阵组成。所述的微型滤光片是通过分子束外延原位生长在缓冲层和光电二极管列阵之间。...
叶振华何力胡晓宁周文洪吴俊巫艳丁瑞军
文献传递
用熔体外延法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶被引量：5
2004年
用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶.虽然使用液相外延设备,但熔体外延具有不同于液相外延等常规晶体生长方法的创新生长工艺.红外傅里叶光谱测量证明InAsSb材料的截止波长超过10μm.X射线衍射光谱揭示InAsSb外延层具有相当完美的晶体取向结构,且与InAs衬底取向一致,均为(100)方向.霍尔测量结果给出295K下,InAsSb的电子迁移率为4.75×104cm2/Vs,截流子浓度为3.61×1016cm-3;77K下电子迁移率为2.86×104cm2/Vs,载流子浓度为1.50×1016cm-3.数据显示这种材料具有研制新型探测器的良好前景.
高玉竹龚秀英方维政徐非凡吴俊戴宁
关键词：截止波长液相外延电子迁移率外延层载流子浓度
碲镉汞 p^+-on-n长波异质结探测器的研究被引量：9
2004年
报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率.
叶振华吴俊胡晓宁巫艳王建新李言谨何力
关键词：焦平面器件碲镉汞MBE暗电流湿法腐蚀长波
Hg在As激活退火中的作用被引量：2
2006年
对原位 As_4掺杂 MBE HgCdTe 材料退火前后的电学性质进行了研究。原生样品以及 N 型退火样品的测试结果显示,随着 As 掺杂进入 HgCdTe 的同时,样品中产生了额外的 Hg 空位,并且在样品中引进了一种 N 型深能级结构。不同 Hg 分压下的激活退火结果显示,高温汞压下退火可以获得 P 型 MBE HgCdTe 材料。但是,真空退火结果显示 As 很难被激活。说明在激活退火过程中 As 在各个格点之间转移时,外界的 Hg 起重要作用。
吴俊魏青竹巫艳陈路于梅芳乔怡敏何力
关键词：退火碲镉汞分子束外延
Si基HgCdTe材料的电学特性研究被引量：2
2007年
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3 in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。
魏青竹吴俊巫艳陈路于梅芳王伟强傅祥良何力
关键词：SI基HGCDTE电学参数少子寿命分子束外延
As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数被引量：8
2002年
报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .
吴俊巫艳陈路于梅芳乔怡敏何力
关键词：二次离子质谱分子束外延碲镉汞
HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性被引量：2
2002年
报道了用 MBE方法生长掺 In N型 Hg Cd Te材料的研究结果。发现 In作为 N型施主在 Hg Cd Te中的电学激活率接近 1 0 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6me V。确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在约 3× 1 0 1 5cm- 3水平。比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0°C温度下 In的扩散系数约为 1 0 - 1 4cm2 / sec,确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的
巫艳陈路于梅芳乔怡敏吴俊何力胡晓宁李言谨张勤耀丁瑞军
关键词：分子束外延碲镉汞红外焦平面
As在HgCdTe外延层中的扩散系数被引量：5
2005年
使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子束外延样品中的扩散系数.获得了在240℃,380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数,并发现它与退火过程中Hg的分压有关,且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用.研究表明在低温段的240℃/24～48小时的退火中As的扩散非常有限,对样品中As的浓度分布影响不大,而在高温段380℃/16小时和440℃/30分钟退火中,As扩散较为明显,能使原来的PN突变结变缓.综合比较As杂质的电学激活以及As扩散因素,高温段440℃/30分钟的退火条件较理想.
徐非凡吴俊巫艳陈路于梅芳何力
关键词：外延层碲镉汞材料退火过程SIMSPN
分子束外延CdTe(211)B/Si复合衬底材料被引量：9
2005年
报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTeIRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRDFWHM平均值为120arcsec,最好达到100arcsec,无(133)孪晶和其他多晶晶向.
陈路王元樟巫艳吴俊于梅芳乔怡敏何力
关键词：分子束外延碲化镉硅基
Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
本文阐述了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展。用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系,基本建立了外延材料晶体质量无损检测评价标准,并对外延工艺进行...
陈路傅祥良巫艳吴俊王伟强魏青竹王元樟何力
关键词：红外探测器分子束外延
文献传递
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0