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颜学进

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 3篇INGAAS...
  • 2篇双稳
  • 2篇双稳激光器
  • 2篇磷化铟
  • 2篇刻蚀
  • 2篇半导体
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇电极
  • 1篇电流控制
  • 1篇电流控制型
  • 1篇电吸收
  • 1篇电吸收调制
  • 1篇电吸收调制器
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇异质结
  • 1篇增益开关

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇颜学进
  • 3篇石志文
  • 3篇杜云
  • 3篇张权生
  • 2篇赵军
  • 1篇田慧良
  • 1篇白云霞
  • 1篇朱家廉
  • 1篇朱洪亮
  • 1篇王圩
  • 1篇罗丽萍
  • 1篇许国阳
  • 1篇吴荣汉
  • 1篇段俐宏
  • 1篇周帆
  • 1篇王启明

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1997
  • 2篇1996
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
InGaAsP／InP　MQW电流控制型双稳／非线性增益开关激光器被引量：1
1996年
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
张权生石志文杜云颜学进赵军
关键词：双稳激光器
半导体量子阱激光器与电吸收调制器单片集成中的关键基础工艺研究
该论文的研究工作分两个大的部分,第一部分围绕着DFB激光器与电吸收调制器单片集成进行,第二部分尝试将量子阱双稳激光器与电吸收调制器单片集成.研究人员利用反应离子刻蚀与晶向湿法化学腐蚀的技术,开展了刻蚀激光器的腔面的研究,...
颜学进
关键词：电吸收调制器单片集成
半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器被引量：1
2000年
研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ ，击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ 多量子阱激光器，激光器的高频调制特性明显优于反向ｐｎ 结掩埋的激光器，３ｄＢ 调制带宽达４．８ＧＨｚ．
许国阳颜学进朱洪亮段俐宏周帆田慧良白云霞王圩
关键词：激光器磷化铟
刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性
1997年
本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面的方法．用CH4：H2：Ar2的混合物作干法刻蚀的反应气体，用H2SO4：HCl：H2O2作湿法腐蚀的腐蚀剂，我们获得了质量较好的激光器的光学腔面．用一个刻蚀腔面与一个解理面组成激光器的F－P腔，我们获得了它的宽接触阈值电流和微分量子效率与用传统的解理腔面的激光器的宽接触阈值电流与微分量子效率相当的激光器．
颜学进张权生石志文杜云祝亚芹罗丽萍朱家廉吴荣汉王启明
关键词：半导体激光器双异质结
三端1．3μmInGaAsP／InP双区共腔激光器
1996年
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获得了大范围调节。
张权生石志文杜云赵军颜学进
关键词：激光器电极磷化铟INGAASP
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