郭栋
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：东华理工大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目江西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 半导体纳米线制备中干法刻蚀技术的研究
- 2014年
- 近年来,一维纳米结构:纳米管、纳米线、纳米带等,引起了人们的广泛关注。如何制备高质量的纳米结构依然是我们面临的巨大挑战。该文通过干法刻蚀技术制备的纳米线阵列来突出说明该技术今后的发展是多样化的,而且仍然方兴未艾。
- 郭栋邹继军邹坤
- 关键词：一维纳米结构纳米线尺寸干法刻蚀技术
- 一种α-磷酰化的α-氨基酸酯类化合物及其合成方法
- 本发明公开了一种α‑磷酰化的α‑氨基酸酯类化合物及其合成方法，本发明方法是在过渡金属催化剂存在下，有机溶剂中，N‑芳基甘氨酸酯和亚磷酸酯类化合物进行加热反应制得α‑磷酰化的α‑氨基酸酯类化合物，该类化合物的结构经<Sup...
- 祝志强肖利金郭栋季久健陈旭谢宗波乐长高
- 文献传递
- 变组分AlGaAs/GaAs透射式光电阴极分辨力特性分析被引量：2
- 2014年
- 建立了变组分AlGaAs/GaAs光电阴极二维载流子输运连续性方程.在一定的边界条件下,利用数值计算方法对此方程进行求解,得到了变组分AlGaAs/GaAs光电阴极调制传递函数(MTF)理论计算模型.利用该模型计算了透射式变组分和均匀组分阴极的理论MTF,分析了分辨力与Al组分变化范围、入射光子波长、AlGaAs和GaAs层厚度的关系.计算结果表明,变组分阴极与均匀组分阴极相比,阴极分辨力显著提高.当空间频率f在100—500 lp·mm-1区间时,分辨力的提高最为明显,如当f=200 lp·mm-1时,一般可提高150%—260%.变组分阴极分辨力的提高是内建电场作用的结果,但内建电场太大时,也会由于Al组分含量过高而影响阴极的长波响应.
- 邓文娟彭新村邹继军江少涛郭栋张益军常本康
- 关键词：内建电场分辨力调制传递函数
- GaAs纳米线阵列光阴极制备及其理论研究
- 砷化镓纳米线阵列由于其独特的光学和电学性能，以及其在纳米电子学，纳米光学和纳米电池等领域上的相关研究，已引起了广泛的关注。自上而下刻蚀技术很早就用于制备大规模复杂和垂直的砷化镓纳米线阵列，并且该技术可以获得高质量的纳米级...
- 郭栋
- 关键词：感应耦合等离子体干法刻蚀光阴极光谱响应
- 文献传递
- 一种α-磷酰化的α-氨基酸酯类化合物及其合成方法
- 本发明公开了一种α‑磷酰化的α‑氨基酸酯类化合物及其合成方法，本发明方法是在过渡金属催化剂存在下，有机溶剂中，N‑芳基甘氨酸酯和亚磷酸酯类化合物进行加热反应制得α‑磷酰化的α‑氨基酸酯类化合物，该类化合物的结构经<Sup...
- 祝志强肖利金郭栋季久健陈旭谢宗波乐长高
- 一种3-亚胺基咪唑并[1,2-a]吡啶化合物
- 本发明公开了一种可见光催化N‑芳基甘氨酸酯与咪唑并[1,2‑a]吡啶化合物的氧化交叉偶联反应制备3‑亚胺基咪唑并[1,2‑a]吡啶化合物。在本发明方法中，曙红Y为光敏剂，柠檬酸为添加剂，N‑芳基甘氨酸酯与咪唑并[1,2‑...
- 祝志强郭栋肖利金
- 文献传递
- 一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中...
- 邹继军郭栋朱志甫彭新村邓文娟王炜路冯林张益军常本康
- 文献传递
- α-氨基羰基化合物C-H官能化反应
- α-氨基羰基结构广泛存在于天然产物、药物以功能材料中,对其C-H官能化有重要的研究意义和价值。C-H键官能团化是构建C-C键和C-X(X=N,O,P,S)键的重要手段,通过对α-氨基羰基化合物C-H键转化可制备各种α-取...
- 郭栋
- 关键词：氨基酮官能化过渡金属
- 一种3-亚胺基咪唑并[1,2-a]吡啶化合物
- 本发明公开了一种可见光催化N‑芳基甘氨酸酯与咪唑并[1,2‑a]吡啶化合物的氧化交叉偶联反应制备3‑亚胺基咪唑并[1,2‑a]吡啶化合物。在本发明方法中，曙红Y为光敏剂，柠檬酸为添加剂，N‑芳基甘氨酸酯与咪唑并[1,2‑...
- 祝志强郭栋肖利金
- 文献传递
- 一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制...
- 邹继军郭栋朱志甫彭新村邓文娟王炜路冯林张益军常本康
- 文献传递
