张益军
- 作品数：146 被引量：90H指数：5
- 供职机构：南京理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金微光夜视技术国防科技重点实验室基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- GaAlAs缓冲层对具有薄发射层的反射式GaAs光电阴极的影响
- 传统的反射式GaAs光电阴极量子效率公式不能很好地与发射层较薄的情况下的量子效率实验曲线拟合。考虑GaAlAs缓冲层产生光电子,通过建立和求解少数载流子所遵循的一维连续性方程,得到修正后的反射式GaAs光电阴极量子效率公...
- 陈鑫龙张益军常本康金睦淳郝广辉徐源
- 关键词：光电阴极量子效率
- GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响被引量：1
- 2012年
- 针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几率,发现电子逸出几率主要由Ⅰ势垒决定,Ⅱ势垒对电子逸出几率的影响有限.利用自行研制的GaN光电阴极激活评估实验系统,测试了透射式GaN光电阴极样品的激活光电流.实验发现,Cs单独激活引起电子逸出几率的显著增加,而Cs单独充分激活后的Cs/O交替激活对电子逸出几率的影响有限.理论计算结果与激活光电流测试结果一致,其原因是Cs单独激活对降低真空能级的贡献远大于Cs/O共同激活.
- 杨永富富容国张益军王晓晖邹继军
- 关键词：GAN光电阴极表面势垒
- 基于线阵InGaAs相机的光伏电池板光致发光成像系统研究
- 2024年
- 现有光伏电池板缺陷检测多采用电致发光激励以及面阵相机检测等方法,存在操作复杂、效率低等问题,为此开展基于线阵InGaAs相机的光伏电池板光致发光成像系统研究。首先,设计线阵InGaAs相机硬件框架与逻辑框架,以FPGA驱动线阵InGaAs相机完成数据采集与图像显示。通过固定模式噪声去除算法与直方图双向均衡算法,去除了缺陷图像中固定模式噪声,同时提升了图像的对比度和清晰度。最后通过搭建整体成像系统,通过光致发光成像对不同种类的光伏电池板的多种缺陷进行成像实验,检测精度达到0.2 mm/pixel。实验结果表明该系统可以完成对单晶硅与多晶硅光伏电池板中隐裂、黑斑、坏片、混档和脏污等缺陷的检测。
- 黄益东钱芸生张益军徐晗
- 关键词：光致发光FPGA
- 多层复杂结构GaAs基光电阴极的光学性能和量子效率
- 2023年
- 为了更好地了解这两种结构对光电发射性能的影响,设计和生长了两种结构的光电阴极样品,对其光电发射性能进行比较,并利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能公式以及通过求解一维连续性方程推导的量子效率模型,对比研究了光电阴极发射层、缓冲层厚度变化以及AlxGa1-xAs缓冲层中Al组分变化对两种结构光电阴极光学性能和量子效率的影响。这两种结构对光电发射性能的影响机理并不相同,因此作用效果也大不一样。渐变带隙结构的光电阴极通过引入内建电场和减少界面复合从而提升光电发射性能,而DBR结构则通过形成法布里-罗伯共振腔,使得特定波长的入射光在共振腔内来回反射进而被多次吸收,从而加强光电发射。激活实验结果表明,DBR结构样品的发射效率与渐变带隙结构相比具有明显优势,尤其是在755,808和880 nm处有更高的发射效率峰值,可分别提升37.5%,38.9%和47.0%。最后利用模型拟合了量子效率曲线,验证了光学性能参量对复杂结构光电阴极的重要影响及理论模型的合理性。
- 冯琤刘健张益军钱芸生
- 关键词：GAAS光电阴极光学性能量子效率
- InGaAs光电阴极的Cs/NF_(3)激活被引量：2
- 2023年
- 为了提高InGaAs光电阴极的光电发射性能,探究新型激活工艺,采用Cs/NF_(3)和Cs/O两种激活方式对InGaAs样品进行激活实验。对同一结构的InGaAs阴极样品,分别进行了激活实验、衰减实验、光谱响应测试和表面成分分析,分别从白光光电流、衰减稳定性、光谱响应和表面成分等角度测试并分析了不同激活工艺下阴极的性能参数。通过对比Cs/NF_(3)和Cs/O两种激活方式的实验结果可知:Cs/NF_(3)激活后的InGaAs光电阴极在白光光电流、截止波长和光谱响应方面明显优于Cs/O激活后的样品,光谱响应的增强效果在近红外波段尤为明显,在1064 nm处Cs/NF_(3)激活后阴极光谱响应是Cs/O激活后的4.7倍;然而,与GaAs光电阴极Cs/NF_(3)激活能够获得更高的阴极稳定性这一现象不同,Cs/O激活的InGaAs光电阴极的稳定性明显优于Cs/NF_(3)激活,Cs/NF_(3)激活在截止波长和光谱响应方面的优势在连续光照衰减后消失。
- 王自衡李诗曼石峰钱芸生张益军
- 关键词：光谱响应
- 一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制...
- 邹继军郭栋朱志甫彭新村邓文娟王炜路冯林张益军常本康
- 文献传递
- 不同掺杂砷化镓光电阴极光电发射性能分析被引量：3
- 2016年
- 采用分子束外延技术制备了具有相同的均匀掺杂或指数掺杂的反射式(r-mode)和透射式(t-mode)GaAs光电阴极样品。利用在线光谱响应测试系统测试了它们的光谱响应,并对实验曲线进行拟合,得到了电子扩散长度和积分灵敏度。结果表明,经工艺处理后的t-mode样品,在均匀掺杂情况下其电子扩散长度的减小量是指数掺杂情况的两倍,积分灵敏度的降低量后者比前者少3%,因此指数掺杂方式有利于降低组件制备工艺对阴极材料发射层的影响。
- 赵静覃翠刘伟伟余辉龙瞿文婷常本康张益军
- 关键词：光学器件GAAS光电阴极积分灵敏度
- 一种提高砷化镓光阴极光谱响应的激活方法
- 本发明提出了一种提高砷化镓光阴极光谱响应的激活方法，依次包括表面清洁过程、铯氧激活过程以及铯氧再激活过程。铯氧激活过程中GaAs光电阴极被白光照射、铯氧再激活过程中阴极面被近红外光照射。被光照激发、逸出的光电子由监测系统...
- 张益军唐嵩王麒铭韩允峰蒋煜童泽昊张锴珉李诗曼王东智钱芸生
- 半导体光电阴极的研究进展被引量：3
- 2022年
- 半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点,被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件,促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源,用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结,并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。
- 张益军
- 关键词：光电阴极GAAS
- 基于知识蒸馏的夜间低照度图像增强及目标检测被引量：1
- 2023年
- 为了实现夜间低照度图像的增强,提高目标检测模型在夜间低照度条件下的检测精度并减小模型的计算成本,提出了一种基于知识蒸馏和数据增强的夜间低照度图像增强以及目标检测多任务模型,基于高质量图像模型进行知识蒸馏,利用高质量图像的特征信息指导模型训练,从而使模型在夜间低照度图像中提取到与高质量图像类似的特征信息。利用这些特征信息可以实现图像的对比度增强、去噪以及目标检测。实验结果表明,提出的蒸馏方法可以提升16.58%的夜间低照度目标检测精度,且用该方法增强的图像可以达到主流的基于深度学习的图像增强的效果。
- 苗德邻刘磊莫涌超胡朝龙张益军钱芸生
- 关键词：目标检测
