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赵瑞华

作品数：107 被引量：34H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 89篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 41篇电子电信
  • 11篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 28篇封装
  • 23篇电路
  • 23篇芯片
  • 13篇基板
  • 12篇放大器
  • 12篇封装器件
  • 11篇射频
  • 11篇集成电路
  • 10篇金属
  • 10篇键合
  • 9篇信号
  • 8篇终端
  • 8篇键合线
  • 8篇毫米波
  • 7篇陶瓷
  • 7篇气密封装
  • 7篇微波器件
  • 6篇单片
  • 6篇频率源
  • 6篇气密

机构

  • 107篇中国电子科技...
  • 3篇电子科技大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 107篇赵瑞华
  • 27篇王磊
  • 26篇徐达
  • 20篇常青松
  • 19篇宋学峰
  • 18篇王凯
  • 14篇袁彪
  • 12篇刘帅
  • 11篇要志宏
  • 10篇周彪
  • 9篇潘海波
  • 9篇汤晓东
  • 9篇李丰
  • 8篇王乔楠
  • 8篇白银超
  • 8篇邓世雄
  • 8篇许向前
  • 8篇刘荣军
  • 8篇高长征
  • 7篇李增路

传媒

  • 14篇半导体技术
  • 1篇航空兵器
  • 1篇2003全国...
  • 1篇中国微米纳米...
  • 1篇中国微米、纳...

年份

  • 1篇2025
  • 5篇2024
  • 4篇2023
  • 16篇2022
  • 20篇2021
  • 34篇2020
  • 9篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 2篇2003
共 107 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
微波毫米波封装器件及其制作方法
本发明提供了一种微波毫米波封装器件，属于芯片封装技术领域，包括金属管壳、基板以及多个屏蔽罩；其中，金属管壳的侧壁设有输入连接器和输出连接器；基板设于金属管壳内部，基板内部设有电路网络，电路网络与输入连接器和输出连接器分别...
常青松魏少伟赵瑞华孙鉴英徐达唐晓赫闫妍张军莹戎子龙李秀琴姜永娜李刚李子含曹若男郭江红
线性限幅器
本发明适用于电子器件技术领域，提供了一种线性限幅器，包括：第一隔离模块、第一限幅模块、第二限幅模块和第二隔离模块；第一限幅模块包括第一限幅电路和第二限幅电路，第二限幅模块包括第三限幅电路和第四限幅电路；各个限幅电路分别包...
邓世雄陈书宾孙计永赵瑞华宋学峰王凯李丰袁彪
探针自动测试设备
1.本外观设计产品的名称：探针自动测试设备。;2.本外观设计产品的用途：用于半导体芯片的全自动测试。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
李晓光吴立丰孙磊磊赵瑞华李军凯汤晓东庞克俭王凯刘晨宇杨东旭
一种金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法
本发明提供了一种金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，金属陶瓷封装外壳包括：第一陶瓷基板，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一陶瓷基板上设有贯穿第一表面和第二表面的第一金属互联柱，第一金属互联柱用于与芯片键合及与外部电路连...
李仕俊常青松唐晓赫徐达赵瑞华宋学峰张延青杨阳阳许悦卢辉朝薛玲玲宋姗姗许媛王立莹韩亚
三维堆叠电路结构及其制备方法
本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法，属于微电子封装领域，电路基板上设有第一过孔构件，封装底板上设有第二过孔构件，相邻电路基板之间设有第一焊球，第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接，底层电路基板上的第一过孔构件与...
徐达要志宏罗建赵瑞华魏少伟王乔楠魏爱新秦立峰李秀琴张红梅赵晨安胡欣媛
瓦片式T/R组件
本发明适用于射频微波组件技术领域，提供了一种瓦片式T/R组件，包括：金属盒体，上侧面开设有第一凹槽，N*N个用于放置射频插接件的通道分布设置在所述第一凹槽周围；N*N个通道构成对称分布的M个区域，任一区域与不同方向上相邻...
张瑜郝金中周扬王磊赵瑞华白锐汤晓东
自动锁螺钉系统及方法
本发明提供了自动锁螺钉系统及方法，属于螺钉安装技术领域，自动锁螺钉系统包括安装柜、输送轨道、供料轨道、电批装置和控制系统。安装柜上固定设置有抓取装置，输送轨道安装在安装柜上，用于输送工件，供料装置安装在安装柜上，用于提供...
杨树国左国森韩康达赵瑞华袁彪许悦单亮李成泽滑国红胡占奎王飞武香婷王子兆
超高速二相RF脉冲调制器设计
2007年
在相位编码脉冲压缩雷达中产生超高速的RF调制脉冲是一项关键技术。通常采用PIN开关或GaAs开关来实现,但这种调制器由于受自身机理的影响,开关速度一般很难做到纳秒量级。介绍一种产生二相RF调制脉冲的新颖方法,采用高速采样保持放大器与射频开关相结合,产生纳秒量级RF脉冲。该调制器产生的射频脉冲具有脉宽更窄、上升下降时间更短等优点。实际试验结果表明,其脉冲宽度可达8 ns以下,上升、下降沿500 ps以下,可应用于多种高性能电子系统。
赵瑞华金森王占利
关键词：PIN开关
多通道幅相控制芯片
本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种多通道幅相控制芯片，包括上层芯片和下层芯片；所述上层芯片上设有第一控制端、译码电路以及至少一个通道的控制电路；所述下层芯片上设有第二控制端、功分器和至少一个通道的射频电路；所述上层...
王凯白银超马寒啸王磊赵瑞华袁彪韩玉鹏刘乐乐董雪祁广峰苏辰飞王云飞
一种正电控制低温漂单片数控衰减器被引量：1
2014年
数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱动器的情况下，成功实现正电控制，面积得到进一步缩小。对电路进行了仿真与优化，采用GaAs工艺技术完成了流片，测试结果表明，在2．4～8GHz频带内，参考态插入损耗小于4．0dB；衰减精度小于±1dB@31．5dB；回波损耗小于-15dB；衰减量在高温或低温时较常温时的偏差控制在0．3dB以内；各衰减位为0．5，1，2，4，8和16dB，最大衰减量为31．5dB。单片数控衰减器芯片最终尺寸为2．9mm×1．3mm，控制电压为0V和5V。
韩玉鹏赵国庆赵瑞华王凯甄建宇
关键词：低温漂数控衰减器砷化镓
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