栗锐
- 作品数：9 被引量：12H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 14kV-1 A SiC超高压PiN二极管被引量：1
- 2016年
- 设计了一种耐压超过14kV的4H-SiC超高压PiN二极管。外延材料N-层掺杂浓度3.0×10^(14) cm^(-3),厚度140μm。通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14kV以上耐压,正向导通电流1A。
- 栗锐黄润华柏松陶永洪
- 关键词：4H-SICPIN二极管超高压
- 4500V碳化硅肖特基二极管研究被引量：9
- 2013年
- 设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。
- 黄润华李理陶永洪刘奥陈刚李赟柏松栗锐杨立杰陈堂胜
- 关键词：保护环
- GaAs pHEMT外延层转移技术研究
- 2014年
- 随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。
- 赵岩吴立枢石归雄程伟栗锐陈堂胜陈辰
- 关键词：半导体技术化合物半导体集成技术晶体管芯片
- 比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V,200 A碳化硅功率MOSFET器件被引量：1
- 2022年
- 针对电动汽车、光伏、储能等战略性新兴产业对高可靠高效率碳化硅功率MOSFET器件的需求,开展了650 V碳化硅外延结构、芯片JFET区尺寸和掺杂等关键技术研究,研制出比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V、200 A碳化硅MOSFET。器件在漏极电压900 V时,漏源漏电流小于1μA;在环境温度150℃、栅极偏置电压22 V的应力条件下,经过1000 h的高温栅偏可靠性试验,阈值电压正向漂移量小于0.3 V,显示出良好的稳定性。
- 李飞飞陈谷然应贤炜黄润华栗锐柏松杨勇
- 关键词：碳化硅功率MOSFET比导通电阻
- 6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制被引量：1
- 2018年
- 基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基（JBS）结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸（1英寸=2.54 cm）n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料、48个宽度为3.0μm浮空场限环实现了一款反向击穿电压大于6 500 V的4H-SiC JBS二极管。电特性测试结果表明,室温下正向电流为15 A时,正向电压为2.9 V,开启电压为1.3 V;150℃下正向电流为15 A时,正向电压为5.2 V,开启电压为1.2 V。
- 薛爱杰黄润华柏松刘奥栗锐
- 关键词：4H-SIC结终端技术
- 干法栅挖槽GaAs HFET功率管
- 介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖...
- 栗锐王义林罡陈堂胜
- 关键词：干法刻蚀功率管
- 文献传递
- 干法栅挖槽GaAs HFET功率管
- 介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖...
- 栗锐王义林罡陈堂胜
- 关键词：干法刻蚀侧蚀
- 文献传递
- 低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
- 2013年
- 介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。
- 刘海琪王泉慧栗锐任春江陈堂胜
- 关键词：电容
- OEIC台面腐蚀工艺研究
- 2009年
- 深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。
- 范超栗锐陈堂胜杨立杰冯欧冯忠陈辰焦世龙叶玉堂
- 关键词：光电集成电路
