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杨波: 作品数：50 被引量：55H指数：4; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信航空宇航科学技术文化科学机械工程更多>>

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正照射延伸波长In_(0.8)Ga_(0.2)As红外焦平面探测器: 2018年; 为了研究延伸波长In_(0.8)Ga_(0.2)AsPIN短波红外探测器的温度响应光电特性,采用闭管扩散的平面型器件工艺,在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长的NIN型InAs0.6P0.4/In_(0.8)Ga_(0.2)As/InAs_(0.6)P_(0.4)buf./In P材料上制备了正照射延伸波长256×1线列InGaAs红外焦平面探测器,研究了探测器在不同温度下的I-V特性、光谱响应特性和探测率。结果表明,随着温度的降低,在小偏压下,器件的正向暗电流由产生复合电流为主逐渐变为以扩散电流为主。在260~300 K温度范围内,反向电流主要由扩散电流和产生复合电流组成,当温度低于180 K时,器件的反向电流主要为隧穿电流。室温下器件响应截止波长和峰值波长分别为2.57μm和2.09μm,峰值探测率为7.25×10~8 cm·Hz^(1/2)/W,峰值响应率为0.95 A/W,量子效率为56.9%。焦平面的峰值探测率在153 K达到峰值,约为1.11×10^(11) cm·Hz^(1/2)/W,响应非均匀性为5.28%。; 邓洪海杨波邵海宝王志亮黄静李雪龚海梅; 关键词：INGAAS 红外焦平面变温

一种磷化铟晶圆片及其外延晶圆片的衬底抛光模具: 本发明公开了一种用于磷化铟晶圆片及其外延晶圆片抛光模具，其结构包括陶瓷沟道、陶瓷基板、配重块。在抛光垫和陶瓷基板之间起支撑作用的陶瓷沟道。通过在陶瓷基板上增加陶瓷沟道，应用本发明所述的抛光模具可以降低抛光模具的复杂程度，...; 于一榛孙夺曹高奇邓双燕杨波邵秀梅李雪龚海梅; 文献传递

超高增益低噪声红外焦平面读出电路研究被引量：2: 2019年; 高增益探测对InGaAs焦平面探测器在微光夜视条件下成像有重要意义。设计了一款InGaAs焦平面用的高增益低噪声64×64元读出电路。读出电路输入级采用CTIA模式(电容负反馈放大),通过计算发现输入级运算放大器热噪声是主要噪声源,采用单端替代差分运放将输入级噪声降低26%。同时,研究积分电容和增益、满阱容量、噪声的关系,将积分电容降低到1 fF,实现了超高增益和低噪声探测。读出电路采用0.18mm工艺设计,像元中心距为30mm。经过PEX(寄生参数提取)参数提取,实际积分电容为0.94 fF,经过测试芯片整体功耗低至24.1 m W,电路噪声电子数为4.37e。; 景松杨波黄张成龚海梅高海军; 关键词：红外焦平面读出电路高灵敏度低噪声

一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法: 本发明公开了一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法。对于传统的PIN型铟镓砷红外探测器，由于磷化铟帽层或者衬底的吸收，限制了铟镓砷探测器在可见光波段的量子效率。本发明使用加入阻挡层的铟镓砷外延材料制备器件，在探...; 杨波邓洪海朱龙源邵秀梅李雪李淘唐恒敬魏鹏王云姬龚海梅; 文献传递

用于高长宽比红外焦平面探测器的减薄抛光模具及方法: 本发明公开了一种用于高长宽比红外焦平面探测器的减薄抛光模具及方法，模具包括：刻有凹槽的夹具基板、电极保护衬片、高度补偿垫片和芯片保护衬片。其使用方法为：将电极保护衬片粘贴于光敏芯片两侧的读出电路凸出部位；将红外焦平面探测...; 孙夺杨波于一榛李雪邵秀梅; 文献传递

一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生...; 邓洪海唐恒敬李淘李雪魏鹏朱耀明王云姬杨波龚海梅; 文献传递

一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻...; 邓洪海唐恒敬李淘李雪魏鹏朱耀明王云姬杨波龚海梅; 文献传递

结电容对不同光敏元尺寸InGaAs探测器I-V特性测试的影响: 2019年; I-V特性是光伏探测器最重要的表征手段之一。用电压扫描方式对光敏元尺寸为Φ 5 mm的InGaAs探测器进行I-V测试时,在负压方向电流出现了震荡现象。分析认为采样时电压处在变化中,变化的电压会引起积累在P-N结空间电荷和扩散区电荷的改变,形成P-N结电容效应而导致。本文通过测试不同光敏元尺寸探测器的零偏电阻、暗电流和电容,讨论了光敏元尺寸对InGaAs探测器I-V特性测试的影响。结果表明:随着光敏元尺寸增大,探测器的零偏电阻减小,暗电流增大,电容增大。并分析了InGaAs探测器的P-N结电容效应及其对I-V特性测试的影响,当零偏压结电容C >10?8f @2 kHz时,I-V特性曲线在负压方向电流出现了震荡现象,测试过程中可通过限流设置或从正偏压至反偏压测试两种方式避免电流振荡现象,实现大光敏元Φ 5 mm InGaAs探测器I-V特性测试。; 贺香荣李淘徐勤飞杨波; 关键词：光伏探测器 INGAAS探测器 I-V特性

带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法: 本发明公开了一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法，所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底的背面有应力平衡层。探测器制备的具体步骤如下：1)淀积氮化硅刻蚀掩膜，2)台面刻蚀，3)开N槽，4)生长...; 程吉凤李雪邵秀梅邓双燕陈郁杨波马英杰龚海梅; 文献传递

中心距10 μm截止波长2.6 μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器（英文）被引量：1: 2018年; 采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2. 6μm的p-i-n型10×10元延伸波长In Ga As探测器.不同温度下的电流—电压特性研究和激活能分析,显示了器件优异的暗电流特性.在室温下,-10 mV偏压时器件的暗电流和优质因子R0A分别为0. 45 nA和14. 7Ω·cm^2,量子效率可达到63%.为了证实像元中心距减小并未影响器件性能,与同种材料中心距30μm的InGaAs焦平面阵列进行了对比分析.相似的实验结果进一步证明了工艺的可行性,对今后实现高密度、大面阵延伸波长InGaAs探测器具有重要的指导意义.; 何玮李平邵秀梅邵秀梅于一榛张亚光邓双燕杨波杨波李雪李淘; 关键词：INGAAS探测器暗电流密度量子效率