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李原春
作品数:
7
被引量:17
H指数:2
供职机构:
西北核技术研究所
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相关领域:
理学
核科学技术
航空宇航科学技术
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合作作者
李国政
西北核技术研究所
李华
西北核技术研究所
姜景和
西北核技术研究所
牛胜利
西北核技术研究所
贺朝会
西北核技术研究所
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西北核技术研...
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清华大学
作者
7篇
李原春
3篇
李国政
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姜景和
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李华
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2001
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1998
1篇
1997
1篇
1992
1篇
1991
1篇
1990
1篇
1989
共
7
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质子和中子引起的单粒子效应及其等效关系理论模拟
被引量:7
2001年
根据器件几何尺寸、掺杂浓度、偏压等因素确定灵敏体积和临界电荷 ,从而提出单粒子效应的物理模型。考虑了质子和中子在硅中的弹性散射、非弹性散射、两体反应、多体反应以及质子的库仑散射等所有相互作用类型 ,采用蒙特卡罗方法模拟跟踪入射粒子与核的相互作用以及各种次级带电粒子和反冲核的能量沉积过程。采用Ziegler的拟合公式精确计算质子、α粒子、氘核、反冲核等带电离子的能量沉积。根据模拟结果确定了两种粒子引起的单粒子效应等效系数 ,并将模拟结果与实验数据进行了对比。
杨海亮
李国政
李原春
姜景和
贺朝会
唐本奇
关键词:
质子
中子
单粒子效应
蒙特卡罗方法
航天器
宇宙射线
中子射入硅器件中引起的单粒子反转截面的计算
本文考虑了14MeV 中子与硅反应的主要反应道,利用蒙特卡罗方法对中子入射到硅片元器件中引起的单粒子效应进行了研究,计算了反转截面。引言单粒子反转效应的研究是抗辐射加固的一项课题,是为了解决在辐射环境中工作的电子元器件记...
李华
李国政
李原春
文献传递
钴源辐照装置理论计算
李原春
关键词:
辐射源
辐照装置
计算方法
剂量率
吸收剂
蒙特卡罗方法在γ剂量率灵敏度标定中的应用
1998年
在γ剂量率测量标定中,使用GD-40管作为γ探头来测量γ剂量率。实验室标定γ探头灵敏度在钴源上进行,60Go源平均能量为1.25MeV,而在实际测量中,辐射场的γ射线包含了各种能量成份,因此对实验室标定的灵敏度在实际应用中就需要进行修正。本工作通过蒙特卡罗粒子输运模拟方法,计算了单能与辐射场能谱的剂量比值,给出了修正因子,从而使γ剂量率灵敏度标定更加准确。
郭红霞
李原春
姜景和
常冬梅
关键词:
蒙特卡罗法
Γ剂量率
修正因子
外磁场作用下相对论电子在Ne介质中输运的Monte-Carlo模拟
1992年
本文用Monte-Carlo方法模拟外磁场作用下相对论电子在Ne气体柱中的能量沉积,磁场B取零级近似B_0(外磁场)。最后给出能量沉积剖面。
吴沐新
李原春
关键词:
相对论
输运
钴源辐照装置理论计算
被引量:2
1990年
γ辐照装置计算研究的目的是为装置的设计建造和运行管理提供参数和依据。本文用蒙特卡罗方法和沿样品运动路径积分方法对单板钻源辐照装置进行了计算研究,所计算的参量和研究的问题如下:
李原春
关键词:
钴源
Γ辐照装置
辐射源
中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算
被引量:8
1997年
单粒子效应是带电粒子在电子元器件中通过时,造成电子元器件的电离损伤,导致电子元器件的记录出错。考虑了10—20MeV中子与硅反应的主要反应道,利用MonteCarlo方法对中子射入硅器件中引起的单粒子反转进行模拟,得到质子、α粒子的能量、角度分布。考虑带电粒子在硅片中引起的电离损伤,对不同临界电荷,计算了在16K动态RAM硅片中有一个灵敏单元发生反转时,中子入射注量及相应的单粒子反转截面。给出了反转截面与灵敏单元不同长宽比值和不同入射中子能量值的关系。
李华
牛胜利
李原春
李国政
关键词:
单粒子效应
蒙特卡洛模拟
中子
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