牛胜利
- 作品数：101 被引量：178H指数：7
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 强脉冲离子束辐照热-力学效应研究被引量：28
- 2000年
- 采用自行研制的 ITSW软件通过数值模拟方法研究了不同能量离子束辐照材料时的能量沉积及所产生的烧蚀。
- 周南牛胜利丁升邱爱慈
- 关键词：离子束辐照效应热激波
- 一种基于MC伴随输运的核爆炸中子剂量场高效获取方法
- 本发明涉及一种核爆炸辐射环境数值模拟计算方法，具体涉及一种基于MC伴随输运的核爆炸中子剂量场高效获取方法，解决不同爆高和不同中子源参数条件下，核爆炸中子剂量场的高效模拟计算的技术问题。该一种基于MC伴随输运的核爆炸中子剂...
- 王学栋朱金辉左应红牛胜利
- 高空核爆炸人造辐射带电子分布数值模拟
- 根据高空核爆炸辐射带捕获粒子运动理论和带电粒子与大气相互作用机理,跟踪核爆炸主要裂变碎片离子在地磁场和大气作用下的运动,采用蒙特卡罗和有限差分相结合的方法统计计算核爆炸早期电子通量随经度、磁壳参数L、能量E、赤道倾角余弦...
- 罗旭东牛胜利
- 关键词：高空核爆炸数值模拟
- 文献传递
- 辐射效应与粒子输运蒙特卡罗模拟研究进展
- 粒子输运蒙特卡罗方法是模拟研究半导体器件和系统辐射效应物理过程的有效途径。基于GEANT4蒙特卡罗程序包,模拟高能质子和中子辐照半导体材料的主要物理过程,研究得到反冲核分布、位移能量沉积等等次级过程信息;研究分析了低能电...
- 黄流兴牛胜利朱金辉谢红刚卓俊韦源
- 关键词：低能电子有限体积法
- 文献传递
- 基于随机游走方法模拟计算脏弹袭击后的放射性剂量分布被引量：3
- 2018年
- 为研究脏弹爆炸在下风方向造成的放射性辐射危害,基于随机游走方法建立了脏弹恐怖袭击后放射性烟团在大气中扩散的计算模型。结合烟云源项模型和剂量模型,计算研究了小风条件下137 Cs脏弹爆炸时,不同大气稳定度扩散等级时放射性烟团对下风方向公众的辐照剂量。结果表明,在其他条件相同的情况下,稳定度扩散等级对下风方向的辐照水平和分布有明显影响。大气越不稳定,放射性烟云横向扩散范围越广,同时剂量随下风方向距离降低得越快,超公众辐照限值的放射性污染面积也越小。稳定度扩散等级为F时,超公众剂量限值的污染区域面积和下风方向1km处的辐射剂量分别是等级为A时的4倍和10倍。
- 卓俊黄流兴牛胜利谢红刚
- 关键词：脏弹随机游走大气扩散
- 中子-光子输运程序TOPAN的开发与验证被引量：2
- 2012年
- 开发的粒子输运蒙特卡罗通用程序TOPAN能模拟中子和光子的耦合输运,可给出中子和光子在介质中输运后的点通量、面通量、体通量、面流量等参数。该程序除具备常用的蒙特卡罗软件功能外,还增加了处理介质温度变化的等效质量热运动模型和非均匀介质中粒子输运模块,具备粒子标识功能,初步具备了进行一些复杂问题中粒子输运模拟的能力。结合具体算例对TOPAN程序的各功能模块进行了比对验证。
- 朱金辉卓俊牛胜利陶应龙谢红刚韦源黄流兴
- 关键词：蒙特卡罗
- Geant4模拟半导体器件的单粒子效应被引量：8
- 2007年
- 利用Monte Carlo软件Geant4模拟了质子和中子在半导体静态随机存储器模型中的输运过程.根据入射粒子的能量选择不同的物理模型,并采用强迫碰撞方法,模拟了高能质子和中子与硅原子的相互作用及其次级反应过程,给出了0.1～2GeV超高能质子、中子和14MeV中子辐照器件时存储单元灵敏区内的能量沉积,并根据具体器件的临界能量,得到了器件在不同能量的高能质子和中子辐照下引起的单粒子翻转截面和多位翻转截面,计算结果与文献资料结果符合较好.
- 谢红刚牛胜利黄流兴
- 关键词：半导体存储器高能粒子单粒子效应GEANT4
- 基于TIN的复杂地形场景MC粒子输运快速自动建模方法
- 本发明公开了一种基于TIN的复杂地形场景MC粒子输运快速自动建模方法，解决了现有的建模方法随着地形分辨率的增加会产生大量的冗余栅元，也无法精细地表示地形特征线的技术问题，本发明利用原始规则格网的高分辨率地形栅格数据，通过...
- 王学栋朱金辉左应红刘利牛进林杨鹏牛胜利商鹏李雅琦陈统
- 典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟
- 根据深亚微米半导体器件辐射效应研究的需要,将粒子输运的蒙特卡罗方法与半导体器件数值模拟的有限体积法相结合,实现了从粒子输运到器件剂量率响应的一体化模拟。利用该方法对不同结构的反向偏置二极管在矩形γ射线脉冲辐照下的瞬态响应...
- 韦源贡顶牛胜利黄流兴
- 关键词：蒙卡方法有限体积法半导体器件剂量率
- 文献传递
- 固体衬底上超薄膜表面的低能电子背散射系数计算研究
- 2010年
- 应用单次碰撞直接Monte Carlo方法模拟了keV级低能电子在超薄膜/固体衬底结构材料中的输运过程,计算研究了不同能量低能电子在几十nm厚超薄膜表面的背散射系数。给出了几种常用超薄膜/固体衬底结构的电子背散射系数r随薄膜厚度D的变化曲线,及r-D曲线线性段背散射常数C随电子入射能量的变化关系。结果表明,在低能电子入射下,r-D曲线初始段存在单一的线性区,背散射常数C随入射电子能量减小而增加,并最终达到一极大值,该规律可作为薄膜厚度测量中选择电子能量的重要参考依据。
- 卓俊牛胜利朱金辉黄流兴
- 关键词：低能电子背散射CARLO方法超薄膜
