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潘越

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 24篇存储器
  • 10篇电路
  • 5篇电极
  • 4篇电压
  • 4篇神经元
  • 4篇神经元电路
  • 4篇突触
  • 4篇沟道
  • 4篇多值
  • 4篇并联
  • 3篇一致性
  • 3篇金属
  • 3篇聚对二甲苯
  • 3篇非易失性
  • 3篇侧墙
  • 2篇单元电路
  • 2篇等差
  • 2篇等离子体化学...
  • 2篇低电压
  • 2篇低功耗

机构

  • 30篇北京大学

作者

  • 30篇潘越
  • 30篇黄如
  • 26篇蔡一茂
  • 13篇谭胜虎
  • 11篇唐昱
  • 11篇王宗巍
  • 10篇黄英龙
  • 9篇张丽杰
  • 9篇张耀凯
  • 9篇杨庚雨
  • 6篇陈诚
  • 5篇唐粕人
  • 5篇毛俊
  • 5篇黎明
  • 4篇刘业帆
  • 2篇白文亮
  • 2篇邝永变
  • 2篇秦石强
  • 2篇高德金
  • 2篇于哲

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 9篇2012
  • 2篇2010
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括：底电极、阻变材料薄膜和顶电极，底电极在衬底上，阻变材料薄膜有金属掺杂，掺杂的金属同时满足低导热率和高吉布斯自由能。通过离子注入方法在阻变材料薄膜中注入相...
黄如余牧溪蔡一茂王宗巍潘越方亦陈黎明
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基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和...
张丽杰黄如潘越
基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和...
张丽杰黄如潘越
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一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底，衬底上设置绝缘层和底电极，在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜，所述隔离层形成凹槽状器件区域，所述第一层阻...
黄如余牧溪蔡一茂王宗巍潘越郭彬彬方亦陈黎明
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一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条...
黄如杨庚雨蔡一茂潘越谭胜虎张耀凯陈诚黄英龙唐昱
一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如杨庚雨孙帅谭胜虎张丽杰黄英龙张耀凯唐昱潘越蔡一茂毛俊
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一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法
本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻...
蔡一茂刘业帆方亦陈王宗巍李强余牧溪潘越黄如
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一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法
本发明公布了一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法。本发明的自选择阻变存储器采用较薄的活性电极，具有挥发性低阻态，结合较小的限流值和特定的读写操作，在十字交叉阵列中应用可以抑制泄漏电流，实现阻变单元的无选择管高...
蔡一茂潘越王宗巍喻志臻黄如
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一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀...
蔡一茂王宗巍黄如刘业帆潘越余牧溪
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一种低电压阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(Si<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>N<Sub>z<...
黄如高德金张丽杰邝永变于哲唐昱潘越唐粕人
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