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蔡一茂

作品数：247 被引量：22H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 237篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 63篇自动化与计算...
  • 23篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 3篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 144篇存储器
  • 66篇电路
  • 31篇电压
  • 29篇晶体管
  • 28篇电极
  • 26篇集成电路
  • 24篇闪存
  • 23篇衬底
  • 19篇功耗
  • 19篇超大规模集成
  • 19篇超大规模集成...
  • 19篇大规模集成电...
  • 18篇半导体
  • 18篇存储阵列
  • 17篇氧化物
  • 16篇浮栅
  • 16篇存储器阵列
  • 15篇淀积
  • 14篇电流
  • 14篇神经网

机构

  • 247篇北京大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇国家自然科学...
  • 2篇京东方科技集...
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇华为技术有限...
  • 1篇钱塘科技创新...
  • 1篇松山湖材料实...

作者

  • 247篇蔡一茂
  • 204篇黄如
  • 122篇王宗巍
  • 27篇唐昱
  • 26篇潘越
  • 24篇张耀凯
  • 23篇陈诚
  • 19篇刘业帆
  • 19篇黄英龙
  • 19篇谭胜虎
  • 18篇王阳元
  • 17篇唐粕人
  • 17篇毛俊
  • 17篇杨庚雨
  • 16篇白文亮
  • 16篇秦石强
  • 14篇周发龙
  • 13篇张丽杰
  • 13篇黎明
  • 12篇张兴

传媒

  • 4篇中国科学：信...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国科学基金

年份

  • 28篇2024
  • 51篇2023
  • 11篇2022
  • 8篇2021
  • 10篇2020
  • 12篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 13篇2016
  • 15篇2015
  • 16篇2014
  • 29篇2013
  • 24篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 7篇2006
  • 2篇2005
共 247 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统
本发明公开了基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统，属于半导体技术领域。基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法，包括以下步骤：获取单晶炉热场参数源数据；对获取的源数据进行预处理，得到预处理的源数据；输入...
蔡一茂马君健
随机矩阵向量乘加运算系统及其运算方法
本发明提供一种随机矩阵向量乘加运算系统及其运算方法，其中的运算系统包括输入比特流生成单元、权重比特流生成单元以及存储器阵列，输入比特流生成单元用于根据预设输入向量生成相应的输入随机比特流的脉冲序列，权重比特流生成单元用于...
蔡一茂秦雅博王宗巍
一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法
本发明公开了一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法，属于属于有机电子学和CMOS混合集成电路技术领域。该器件制备在衬底上，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电薄膜等惰性电极，顶层为金属Al等活...
黄如白文亮蔡一茂唐昱张兴
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一种基于电荷再分配的存内计算电路
本发明提供了一种基于电荷再分配的存内计算电路，属于半导体(Semiconductor)和CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发性存储器(Non‑volatile Memory)与存内计算(Compute‑In‑M...
蔡一茂杨韵帆王宗巍
一种快闪存储器结构及其制备方法
本发明提供了一种快闪存储器单元，是一种基于垂直沟道场效应晶体管结构的器件，其特征在于，硅台上方的n+掺杂区是源端，硅台两边的n+掺杂区都是漏端，硅台的两侧各有两个多晶硅栅，外侧的多晶硅栅为控制栅，里侧的多晶硅栅为浮栅，浮...
周发龙黄如蔡一茂张大成张兴王阳元
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一种双模阻变存储器件及其制备方法
本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑自选择层‑顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或...
王宗巍蔡一茂康健鲍盛誉凌尧天喻至臻陈青钰鲍霖吴林东黄如
阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括上电极、阻变材料和下电极，所述阻变材料位于下电极之上，所述上电极嵌入在阻变材料之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。本发明还公开了阻变存储器的制备方...
蔡一茂毛俊武慧薇黄如
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一种具有散热功能的手机壳
本实用新型公开了一种具有散热功能的手机壳，包括手机壳壳体，其特征在于，在手机壳壳体内部设置有热管，所述热管的分布区域对应连接手机表面的高温区与低温区。所述热管可分为蒸发段、绝热段和冷凝段，当蒸发段受热时，热管内吸液芯中的...
蔡一茂陈青钰王宗巍杜晨喆鲍盛誉黄如
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一种阻变存储器制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器制备方法。该方法包括：在衬底上形成下电极；在所述下电极上形成阻变层；在所述阻变层上形成上电极，获得阻变存储器；在所述阻变存储器上施加预定电压，所述预定电压为使所述阻变存储器由高阻态转变为低...
黄如陈诚蔡一茂张耀凯
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一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种具有选择特性的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器包括：顶电极、底电极以及二者之间的功能层；其中，功能层包括第一氧化层和第二氧化层；第一氧化层为靠近顶电极的完全配比的氧化层；第二氧化层为靠近底电极的...
黄如李强蔡一茂刘业帆潘岳余牧溪
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