杨菲
- 作品数:8 被引量:5H指数:1
- 供职机构:南京大学更多>>
- 发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:理学自动化与计算机技术医药卫生经济管理更多>>
- 硫系相变材料Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变速度及电学输运性质研究
- 2011年
- 利用磁控溅射方法制备了Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变。由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge_2Sb_2Te_5比Ge_1Sb_2Te_4结晶更快。原位变温电阻测量的结果显示,在相同的升温速率下,Ge_2Sb_2Te_5的热致晶化速率更快。而且Ge_2Sb_2Te_5非晶态与晶态的电阻差值更高。故Ge_2Sb_2Te_5比Ge_1Sb_2Te_4更适合作为相变存储器的材料。另外,对两种薄膜的电学输运性质进行了研究,霍尔效应的测量表明,Ge_1Sb_2Te_4材料电导的变化是迁移率和载流子浓度共同作用的结果,而Ge_2Sb_2Te_5材料电导的变化主要是由于载流子浓度的变化引起。
- 刘文强仝亮徐岭刘妮杨菲廖远宝刘东徐骏马忠元陈坤基
- 相变存储材料Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜的结构和电学特性研究被引量:5
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、高度起伏小于10nm的突起;而对于Ge2Sb2Te5薄膜样品,其结构也从非晶态向多晶态转变,但表面形貌的变化不太明显.霍尔效应测量结果表明,无论是原始淀积的还是退火的样品,Ge1Sb2Te4薄膜的载流子浓度均比Ge2Sb2Te5高三个数量级以上,由此推论:Ge1Sb2Te4较高的电导主要来自其较大的载流子浓度.利用变温探针台测量了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5在相变前恒温条件下电阻随时间变化关系,结果表明在相同的恒温条件下Ge2Sb2Te5电阻保持时间更长,更加有利于数据的存储.
- 廖远宝徐岭杨菲刘文强刘东徐骏马忠元陈坤基
- 鹏华前海万科REITs案例分析
- 我国改革开放40多年来尤其最近20年来,房地产业发展迅速,融资规模不断扩大,商业房地产贷款不断攀升,居民杠杆率和企业杠杆率居高不下。在此背景下,我国商业地产和存量基础设施资产都需要多元化金融创新产品,通过整合社会资本化解...
- 杨菲
- 关键词:资产证券化
- 文献传递
- 制备垂直结构相变存储器的方法
- 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法,属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。...
- 徐岭徐骏马忠元刘东廖远宝戴明杨菲刘文强吴良才陈坤基李伟
- 文献传递
- miR--181b通过调节抑癌基因PDCD4影响结直肠癌进程
- 结直肠癌(colorctalcancer,CRC)是全球高发的消化道恶性肿瘤之一。全球每年新发病例已增至100万,其发病率正以4.2%的速度递增。结直肠癌的病因尚不明确,早期没有明显的症状,也易发生转移,这些均是导致其预...
- 杨菲
- 关键词:结直肠癌MICRORNAPDCD4细胞增殖
- 文献传递
- 硫系相变存储材料SbTe/GeSbTe的光电性质及其基于C-AFM的存储机理研究
- 随着信息科学的迅猛发展,人们对存储器的存储密度和存储容量的要求也在不断提高。在众多类型的半导体存储器中,相变存储器(PCRAM)被认为是最有可能取代静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)和闪存(FLASH...
- 杨菲
- 关键词:相变存储器光电性质
- 制备垂直结构相变存储器的方法
- 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法,属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。...
- 徐岭徐骏马忠元刘东廖远宝戴明杨菲刘文强吴良才陈坤基李伟
- 文献传递
- 一种硫系太阳能电池及其制作方法
- 本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法,硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极;所述下电极设在纳米硅层上;所述纳米硅层设在纳米结构层上;所述纳米结构层设在ITO上;所述ITO设在衬底上;方法包括...
- 徐岭徐骏马忠元肖金荣耿雷陈坤基李伟方力刘妮江一帆杨菲仝亮
- 文献传递