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张家斌

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇CMOS
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇双掺杂
  • 1篇驱动器
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇相控阵
  • 1篇相控阵雷达
  • 1篇模拟集成电路
  • 1篇模拟开关
  • 1篇晶体管
  • 1篇雷达
  • 1篇加固技术
  • 1篇高压大电流
  • 1篇高压集成电路
  • 1篇隔离度

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇张家斌
  • 3篇胡永贵
  • 1篇胡刚毅
  • 1篇张正璠
  • 1篇谭开洲
  • 1篇肖鹏
  • 1篇谭开州
  • 1篇江泽福

传媒

  • 4篇微电子学

年份

  • 3篇1999
  • 1篇1997
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种高压大电流快速CMOS驱动器
1999年
阐述了高压大电流快速CMOS驱动器的基本原理及电路设计、版图设计、工艺设计和封装等关键技术。
张家斌江泽福胡刚毅
关键词：驱动器CMOS集成电路高压集成电路相控阵雷达
一种1.5～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究
1999年
采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达２５～３０Ｖ，工艺特点在于采用了硼掺杂多晶硅作ＰＭＯＳ管栅电极，磷掺杂多晶硅作ＮＭＯＳ管栅电极。
谭开洲胡永贵张家斌
关键词：CMOS工艺多晶硅栅PMOS晶体管
Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术
1999年
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献。
胡永贵谭开州张家斌张正璠肖鹏夏培邦
关键词：MOSFET总剂量辐照
一种高隔离度视频模拟开关被引量：1
1997年
介绍了Π型结构的ＣＭＯＳ模拟开关的电路设计。采用４μｍ硅栅自对准技术、全离子注入浅结工艺制造出了ＳＢ８０４ＣＭＯＳ模拟开关，在３０ＭＨｚ的视频信号下，其隔离度高达６３ｄＢ、开关时间小于５０ｎｓ。
胡永贵张家斌
关键词：模拟集成电路CMOS模拟开关
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