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肖鹏

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇双极器件
  • 1篇双极性
  • 1篇双极性晶体管
  • 1篇中子辐照
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇晶体管
  • 1篇快中子辐照
  • 1篇加固技术
  • 1篇SI
  • 1篇硅
  • 1篇MOSFET

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇肖鹏
  • 1篇张正璠
  • 1篇谭开州
  • 1篇张家斌
  • 1篇胡永贵
  • 1篇黄燕

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 2篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术
1999年
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献。
胡永贵谭开州张家斌张正璠肖鹏夏培邦
关键词：MOSFET总剂量辐照
双极器件的快中子辐照损伤被引量：1
1999年
从双极器件在快中子脉冲辐射下Frenkel缺陷的产生及其退火机理出发,推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)和电荷浓度变化的数学模型。同时。
黄燕肖鹏夏培邦
关键词：双极性晶体管快中子辐照硅双极器件
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共1页<1>
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