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张哲民

作品数：12 被引量：8H指数：2
供职机构：华中理工大学光电子工程系更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信

主题

  • 6篇激光
  • 5篇激光器
  • 3篇应变量子阱
  • 3篇偏振
  • 3篇光电
  • 3篇放大器
  • 2篇增益
  • 2篇增益系数
  • 2篇量子
  • 2篇光电子
  • 2篇光放大
  • 2篇光放大器
  • 2篇光纤
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇电器件
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子学
  • 1篇多量子阱
  • 1篇行波放大器

机构

  • 7篇华中理工大学
  • 4篇华中科技大学
  • 2篇吉林大学

作者

  • 11篇张哲民
  • 9篇黄德修
  • 3篇李同宁
  • 2篇刘式墉
  • 2篇陈维友
  • 1篇段子刚
  • 1篇刘德明

传媒

  • 2篇中国激光
  • 2篇光子学报
  • 2篇光通信研究
  • 2篇半导体光电
  • 1篇Journa...
  • 1篇光学学报
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 5篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多量子垒结构的有效势垒分析
1998年
对多量子垒（ＭＱＢ）的有效垒高与结构上的关系进行了理论研究。讨论了ＭＱＢ有效垒高与阱宽及垒宽的关系，发现随阱宽的增加，ＭＱＢ有效垒高表现出振荡特性；而随垒宽的增加，ＭＱＢ有效垒高趋于Ｕ０，并不具有振荡特性。单ＭＱＢ结构的有效垒高对阱宽较敏感，混合ＭＱＢ更有利于工艺的实现。
张哲民黄德修李同宁
关键词：激光器
不同形状量子阱的量子限制效应被引量：2
1997年
采用差分法求解有效质量方程，考虑轻重空穴的混合效应及应变效应，对三种不同形状的量子阱的能带结构、价带态密度、跃迁矩阵元进行了比较。在阱宽相同的条件下，方阱有最大的限制能力，但抛物阱和三角阱有更平坦的态密度曲线，使得以抛物阱和三角阱为有源区的激光器和半导体激光放大器可以有较低的透明电流密度。同时价带子带的耦合强烈改变了跃迁矩阵元，这对量子阱的增益特性会产生影响。
张哲民陈维友刘式墉刘式墉
关键词：光电子学
固定波长应变量子阱的设计与比较被引量：2
1998年
针对ｌｎＧａＡｓＰ材料，我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大，阱宽越窄，其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大，以及其较大的态密度，使得张应变量子阱的微分增益比压应变和匹配量子阱的大得多如果固定的张应变量只能使第一子带为ＬＨ，第二子带为ＨＨ，则存在一个最优的阱宽，阱宽太小不能消除ＬＨＩ与ＨＨ２的耦合，阱宽太大又会带来ＬＨ３与ＨＨ２的耦合。
张哲民黄德修李同宁
关键词：应变量子阱增益系数激光器
双偏振双波长混合应变量子阱激光器被引量：2
1998年
本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。对有源区分别采用体材料、匹配量子阱、压应变量子阱和混合应变量子阱结构的激光器进行了比较。混合应变量子阱激光器能同时工作于两种偏振模式，而且两种偏振模式的激射波长不同。结合实验结果，我们可以看出在混合应变量子阱结构中，从偏振自发辐射谱峰值波长差不能推断两种量子阱的能带填充效应大小。
张哲民金锦炎黄格凡李同宁黄德修
关键词：半导体激光器应变量子阱偏振
混合应变多量子阱波导结构设计
1998年
本文从理论上对混合应变量子阱结构（既有张应变量子阱又有压应变量子阱）的光学限制因子进行了讨论。由于垒层宽度较小，其变化量也不大，对光学限制影响相对小一些。当各层的折射率一定时，对称和非对称结构的最佳波导层厚度差不多，限制因子与波导层厚度的关系也类似。在最佳波导层厚度附近的区域，ΓＴＭ／ΓＴＥ比值变化对波导层厚比较敏感，这点可以用于偏振无关放大器的设计中，因为我们能够通过调节波导层厚度改变ＴＭ／ＴＥ模式增益比。
张哲民黄德修李同宁
关键词：光电器件
1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析
1999年
本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流，ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低，ＴＭ模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高．测试了不同电流和温度下的偏振激射谱，两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化，表明ＴＥ和ＴＭ激射模式之间有强烈的互作用．我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的．
张哲民金锦炎黄格凡黄德修李同宁
关键词：激光器偏振
低偏振灵敏度半导体光放大器被引量：2
2000年
报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器 (SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益 ,使之接近TE模的增益 ,从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在 150mA的偏置下 ,获得了 2 4dB的小信号增益和 1dB的偏振灵敏度。
段子刚张哲民刘德明黄德修金锦炎杨新民王彩玲
关键词：半导体光放大器偏振灵敏度应变量子阱
单量子阱激光器的结构设计与分析
1997年
考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对载流子（主要是导带电子）分布也有影响。阱宽一定时，对光学限制因子存在最优限制层厚度；而随着限制层厚度的增加，注入到量子阱内的载流子比例减小。小阱宽的量子阱虽然光学限制因子和载流子注入比例都较小，但由于其价带耦合小于宽量子阱，从而具有高的模式增益，说明量子阱的能带结构对其光学特性有决定性的作用。采用其它减小价带耦合的方法，如在阱区引入应变，可进一步提高激光器的性能。
张哲民黄德修李同宁
关键词：量子阱激光器载流子
不同反射率半导体激光放大器的增益谱特性
1998年
采用传输矩阵方法（ＴＭＭ）对具有不同腔面反射率的半导体激光放大器的特性进行了分析。在相同的注入水平下镀膜后峰值增益波长会产生几十纳米的蓝移。讨论了沿腔面均匀注入和非均匀注入时的增益特性，输出功率较小时没有增益饱和效应，两种条件下增益差别不大；当要求输出功率大时，非均匀注入将优于均匀注入。
张哲民黄德修李同宁刘涛金锦炎黄格凡刘自力李云樵
关键词：激光放大器增益谱传输矩阵光纤通信
行波放大器增益饱和特性理论研究
1996年
以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面反射率的依赖关系，以及俄歇复合过程在行波放大器增益放大中的作用，虽然俄歇复合过程可能提高饱和光强，但它会降低内量子效率及非饱和增益。
张哲民陈维友刘式墉刘式墉
关键词：行波放大器增益饱和光电子器件光纤
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