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刘式墉

作品数：327 被引量：582H指数：12
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作者

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  • 7篇1998
  • 19篇1997
  • 17篇1996
共 327 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于有机电致发光镀膜机的坩锅式蒸发源
本实用新型涉及一种应用于有机电致发光镀膜机的坩锅式蒸发源。坩锅式蒸发源由支座、热电偶测温系统、加热体炉子及坩锅组成。炉子由上、下两个95#陶瓷圆环片(9)、金属钼炉丝(8)、位于上下两个陶瓷圆环片(9)间的筒状石英玻璃内...
侯晶莹刘立宁赵毅李传南高强高文宝程刚刘式墉
文献传递
低阈值量子结构激光器的优化结构设计被引量：1
1999年
针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器），包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系，并且以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ量子阱激光器和ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组装量子点结构激光器为例，分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长。
彭宇恒高强李军王本忠陈维友刘式墉
关键词：自组装量子点激光器
有机高亮度黄光发光二极管被引量：8
2000年
用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件，在１９Ｖ 下器件亮度可达４００００ｃｄ／ｍ ２，外量子效率达３．４％ ．
黄劲松谢志元杨开霞李传南侯晶莹刘式墉南金戴国瑞
关键词：发光二极管高亮度有机物
低阈值大功率半导体激光器的研制
1990年
近几年来,针对光盘的信息处理、激光印刷和长距离通信等实际应用的需要,稳定的单模大功率半导体激光器的研究取得了很大进展.对于GaAlAs/GaAs激光器,限制输出功率增加的主要原因之一是腔面的光学灾变损伤,利用扩大近场束斑尺寸来减少腔面的光子流密度或使腔面变成对光不吸收的透明区都是提高功率输出的重要途径。
李玉东朱东海刘式墉苏士昌张淑芝
关键词：激光器半导体阈值
染料掺杂的聚合物波导膜的制备及电光性质的研究被引量：1
1993年
用溶液沉积的方法制备了染料分散红掺杂的聚苯乙烯膜,并用电场取向的方法对膜中的染料极性分子进行了取向。对取向膜进行的电光测试结果表明取向膜的电光系数r_(33)≈35pm/V较无机晶体要大。
马于光刘式墉朱江沈家骢
关键词：电光效应掺杂
一种用于堆叠结构有机发光二极管的新的电荷生成层被引量：2
2011年
本文报道了一种用于堆叠结构有机电致发光器件的新的电荷生成层:LiF/Al/V2O5,采用这种电荷生成层的堆叠器件的两个发光单元互相独立,不受影响.说明在外加电场下,这种电荷生成层具有向邻近的发光单元注入电子空穴的能力.而堆叠了两个相同发光单元的器件的电流效率在相同的电流密度下约为普通单层结构的1.7倍.同时这种电荷生成层避免了溅射indium tin oxide(ITO)和金属、有机物共掺,只需要热蒸发,生长工艺简单.
陈平赵理段羽程刚赵毅刘式墉
关键词：有机电致发光器件
1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长
1994年
本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。
祝进田李玉东胡礼中陈松岩胡朝辉刘式墉
关键词：激光器化学汽相沉积
应变多量子阱激光器的结构稳定性
1999年
通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫，讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子阱稳定的重要判据。因此，用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力。计算结果表明，净应力的最大值在应变多量子阱结构中的位置与阱层和垒层的厚度以及阱层的失配有关，非应变垒层和盖层能在一定程度上稀释净应力。在此基础上，利用动力学模型计算了应变多量子阱的应变弛豫。
金智杨树人安海岩刘式墉
关键词：应变多量子阱应变弛豫
高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列
2001年
利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观测。测试结果表明量子线的密度高达４×１０~５／ｃｍ。研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱（ＰＰＬ），发现其发光峰半高宽（ＦＷＨＭ）最小为 ９．２ ＭｅＶ，最大偏振度可达０．２２，这些测试结果表明制各出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构。
闫发旺张文俊张荣桂崔立奇梁春广刘式墉
关键词：分子束外延砷化镓自组织生长
InGaAs／InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究
1995年
报道了利用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术生长高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果．宽而激光器实现了室温脉冲受激发射．激射波长为１．４９μｍ，在腔长为２０００μｍ时，最低阈值电流密度为０．３０ｋＡｃｍ－２．最大脉冲光输出峰值功率达５００ｍＷ以上．同时，从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系，并与ＬＰ－ＭＯＶＰＥ生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较．
安海岩杨树人李玉东胡礼中刘式墉
关键词：量子阱激光器INGAASINGAASP激光器
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