郝景臣
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷被引量：10
- 2003年
- 通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和 X射线异常透射形貌等技术 ,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷 .实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于 75 mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域 ,一般都有由高密度位错的运动和反应而形成的蜂窝状网络结构 ,并且位错和微缺陷之间 ,有着强烈的相互作用 ,位错吸附微缺陷 ,微缺陷缀饰位错 .
- 徐岳生张春玲刘彩池唐蕾王海云郝景臣
- 关键词：SI-GAAS微缺陷位错
- 半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
- 2005年
- 研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响 .随着AB EPD的增大 ,跨导、饱和漏电流变小 ,夹断电压的绝对值也变小 .利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底质量进行了测量 ,结果表明衬底参数好的样品 ,PL参数好 ,相应器件的参数也好 。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：SI-GAAS跨导夹断电压
- 用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构被引量：5
- 2004年
- 通过x射线异常透射形貌 (XRT) ,化学腐蚀显微观察和电子显微技术 (TEM)研究了液封直拉 (LEC)法生长的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构 ,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑 ,分析了该结构的形成机理与过程 .认为这是由高密度位错 (EPD)
- 徐岳生唐蕾王海云刘彩池郝景臣
- 关键词：小角度晶界电子显微技术砷化镓晶体X射线衍射分析半绝缘砷化镓
- LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
- 2004年
- 用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响 :低AB EPD的片子跨导大 ;高AB EPD的片子跨导小。AB EPD有一临界值 ,当AB EPD高于此值时 ,跨导陡然下降。另外 ,还利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底进行了测量 ,得出了与上述结果相符的结果。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：LECSI-GAAS跨导位错PL
