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王海云

作品数:49 被引量:58H指数:5
供职机构:河北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程冶金工程更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 16篇会议论文
  • 8篇科技成果
  • 5篇专利

领域

  • 27篇电子电信
  • 11篇理学
  • 4篇电气工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 15篇单晶
  • 11篇砷化镓
  • 8篇微缺陷
  • 8篇晶体
  • 8篇半绝缘
  • 7篇晶体生长
  • 6篇粘度
  • 6篇砷化镓单晶
  • 6篇位错
  • 6篇半绝缘砷化镓
  • 6篇SI-GAA...
  • 6篇
  • 5篇直拉硅
  • 5篇硅单晶
  • 4篇大直径
  • 4篇永磁
  • 4篇
  • 4篇
  • 3篇电磁继电器
  • 3篇电极

机构

  • 49篇河北工业大学
  • 2篇深圳大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇天津师范大学
  • 1篇信息产业部
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 49篇王海云
  • 42篇刘彩池
  • 32篇徐岳生
  • 18篇张雯
  • 17篇郝秋艳
  • 11篇任丙彦
  • 8篇李养贤
  • 6篇唐蕾
  • 5篇孙世龙
  • 5篇滕晓云
  • 4篇魏欣
  • 4篇赵丽伟
  • 4篇郝景臣
  • 4篇乔治
  • 4篇石义情
  • 3篇张炜
  • 3篇杨新荣
  • 3篇孙卫忠
  • 3篇李香龙
  • 3篇马原辉

传媒

  • 4篇Journa...
  • 4篇第十二届全国...
  • 3篇物理学报
  • 3篇稀有金属
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇第十三届全国...
  • 2篇现代仪器
  • 2篇第14届全国...
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  • 1篇半导体技术
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  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 6篇2006
  • 14篇2005
  • 6篇2004
  • 7篇2003
  • 2篇2002
  • 4篇2001
  • 3篇2000
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
快速热处理对重掺锑硅片中氧沉淀的影响
对重掺锑硅片进行不同条件的快速热处理,发现快速热处理有效地增强了间隙氧的沉淀。氧沉淀的密度随着热处理温度的提高而增大,随着降温速度的增加而增大。清洁区的宽度随着高温保持时间的延长而增大,随着降温速度的增大而减小。
孙世龙郝秋艳滕晓云王海云孙海知刘彩池
关键词:氧沉淀
文献传递
半导体硅熔体的有效(磁)黏度被引量:1
2008年
用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁场,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的有效黏度(磁黏度).在温度一定时,测得的磁黏度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系.熔硅温度升高,磁场影响加剧.1490—1610℃温度区间内,磁黏度有异常变化.当引入磁场强度为0·068T时,熔硅有效黏度比原黏度增加2—3个数量级,证明引入磁场是硅单晶大直径生长时,抑制熔硅热对流的有效手段.
张雯刘彩池王海云徐岳生石义情
一种机电转换装置
本实用新型公开了一种机电转换装置,包括壳体、电容动作机构、弹性复位机构和控制电路;壳体由装载壳体和底盖构成,在装载壳体中充有电介质溶液;电容动作机构包括定极板、动极板、输出轴;弹性复位机构为在壳体外输出轴上设置的复位弹簧...
张炜李香龙王海云马原辉
文献传递
大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系被引量:9
2002年
通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度。
任丙彦郝秋艳刘彩池王海云张颖怀
关键词:集成电路硅片大直径直拉硅单晶
一种机电转换装置
本发明公开了一种机电转换装置,包括壳体、电容动作机构、弹性复位机构和控制电路;壳体由装载壳体和底盖构成,在装载壳体中充有电介质溶液;电容动作机构包括定极板、动极板、输出轴;弹性复位机构为在壳体外输出轴上设置的复位弹簧;该...
张炜李香龙王海云马原辉
文献传递
半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量:1
2005年
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ~ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响 .随着AB EPD的增大 ,跨导、饱和漏电流变小 ,夹断电压的绝对值也变小 .利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底质量进行了测量 ,结果表明衬底参数好的样品 ,PL参数好 ,相应器件的参数也好 。
徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
关键词:SI-GAAS跨导夹断电压
非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响
本文通过AB腐蚀、KOH腐蚀,金相显微镜观察,电子探针X射线微区分析(EPMA),对LEC法生长的非掺半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中,位错分布对碳微区分布的影响进行了分析,实验结果表明位错不同分布形态对碳微区分布的...
杨新荣王海云刘彩池徐岳生
关键词:砷化镓
文献传递
半导体材料晶体的等效微重力生长
本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.
徐岳生刘彩池王海云唐蕾
关键词:半导体材料晶体生长砷化镓
文献传递
氧碳杂质对硅光电池光电转换效率影响的研究
任丙彦郝秋艳王海云张志成王猛乔治霍秀敏左燕
该项目通过对中氧中碳含量的硅片进行适当的热处理,从而使硅片表面的电活性杂质减少,体内减少了分散的载流子复合中心,减少了体内复合,提高了非平衡少数载流子寿命。同时该项目还首次将快速热处理工艺(RTP)引入太阳能电池的制备,...
关键词:
关键词:光电转换效率硅光电池
半导体硅熔体磁动力粘滞系数的研究
用魔环结构的钕铁硼永磁体,向半导体硅熔体所在空间,引入磁感应强度(0~0.27特斯拉连续可调),采用回转振荡法测量熔硅的粘度,结果表明,熔硅粘度随着磁场强度的增加而增加,二者呈典型抛物线关系.熔硅温度升高,磁场影响加剧,...
徐岳生张雯王海云刘彩池
关键词:钕铁硼永磁体粘滞系数
文献传递
共5页<12345>
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