郑雪帆
- 作品数：8 被引量：28H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果被引量：4
- 1995年
- 借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。
- 陈效建刘军郑雪帆
- 关键词：功率PHEMTCAD异质结
- 低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨被引量：19
- 1999年
- 介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变化，对器件，尤其是对砷化镓异质结器件几乎没有应力损伤。
- 王玉林郑雪帆陈效建
- 关键词：异质结器件氮化硅薄膜PECVD
- X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器被引量：4
- 1998年
- 报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。
- 乔宝文陈效建刘军郑雪帆王军贤郝西萍
- 关键词：PHEMT低噪声放大器微波集成电路
- 8mm高电子迁移率功率晶体管芯片
- 1999年
- 南京电子器件研究所研制的８ｍｍ高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的８ｍｍ波段ＰＨＥＭＴ功率器件，具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能，采用ＣＡＤ技术，对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础...
- 陈新宇高建峰王军贤郑雪帆陈效建
- 关键词：功率晶体管芯片电子迁移率
- 全文增补中
- 12GHz 0.68dB的InGaAs/AlGaAs赝配HEMT被引量：1
- 1993年
- 报道了微波低噪声异质结赝配HEMT的研究结果。以半绝缘GaAs为衬底,用MBE方法生长异质结材料。采用低应力、低损伤工艺程序,以AuGeNi/Au形成源漏欧姆接触,Al形成栅肖特基势垒接触,聚酰亚胺介质为钝化膜,制成了InGaAs/AlGaAs赝配HEMT。其直流跨导为280mS/mm,在12GHz下,器件最小噪声系数为0.68dB,相关增益为7.0dB。
- 陈效建刘军郑雪帆
- 关键词：低噪声迁移率双极晶体管
- 双平面掺杂AlGaAs／InGaAs功率PHEMT
- 1994年
- 双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ；ＬｉｕＪｕｎ；Ｌ...
- 陈效建刘军李拂晓郑雪帆华培忠
- 关键词：异质结器件PHEMT
- InGaAs/AlGaAs PM-HEMT的实验研制
- 1991年
- 高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度)有关,因而随着对新的异质结构材料中2DEG特性研究的深入,采用新的材料研制HEMT,已成为器件发展中的一个最重要的方向.
- 陈效建刘军郑雪帆王树珠孙晓鹏
- 关键词：晶体管半导体器件
- Ka波段功率PHEMT的设计与研制被引量：2
- 1999年
- 报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ；Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时，输出功率大于２８０ ｍ Ｗ，功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ，增益大于６ ｄＢ。
- 郑雪帆陈效建高建峰王军贤
- 关键词：场效应晶体管PHEMT异质结毫米波
