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要志宏

作品数：96 被引量：62H指数：5
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇专利
  • 25篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 45篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 27篇电路
  • 19篇芯片
  • 17篇放大器
  • 16篇基板
  • 16篇封装
  • 13篇集成电路
  • 10篇低噪
  • 10篇低噪声
  • 8篇单片
  • 8篇低噪声放大器
  • 8篇同轴
  • 7篇信号
  • 7篇微波集成
  • 7篇限幅
  • 7篇毫米波
  • 6篇压控
  • 6篇压控振荡器
  • 6篇射频
  • 6篇陶瓷
  • 6篇滤波器

机构

  • 91篇中国电子科技...
  • 3篇中国电子科技...
  • 2篇机电部
  • 1篇天津工业大学

作者

  • 96篇要志宏
  • 24篇徐达
  • 22篇常青松
  • 19篇王磊
  • 15篇李丰
  • 14篇周彪
  • 13篇王乔楠
  • 12篇孔令甲
  • 11篇赵瑞华
  • 9篇李宏军
  • 9篇白银超
  • 9篇袁彪
  • 8篇张越成
  • 8篇宋学峰
  • 8篇史光华
  • 7篇王胜福
  • 7篇郑升灵
  • 7篇邓世雄
  • 7篇苏彦文
  • 7篇刘帅

传媒

  • 17篇半导体技术
  • 3篇半导体情报
  • 1篇无线电工程
  • 1篇电信技术
  • 1篇微波学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇2003全国...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 3篇2024
  • 5篇2023
  • 12篇2022
  • 14篇2021
  • 30篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1992
共 96 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳
本发明提供了一种基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳，属于电子封装技术领域，包括陶瓷介质、上金属板、下金属板、多个接地焊球以及射频信号功能焊球，陶瓷介质设有射频信号垂直过渡孔和两排对称分设的接地垂直过渡孔；上金属板...
朱春雨李萌白银超要志宏王晟杨阳阳徐召华张斌李群春郭彬赵晞文马喜梅赵素燕张皓
抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器
本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载...
邓世雄陈书宾罗建要志宏刘晓红杨鹏王乔楠吴波苏彦文武康史磊贾晓亮李省王平
文献传递
辐射计前端和终端设备
本发明适用于太赫兹安检、物质检测、遥感以及医疗诊断等技术领域，提供了一种辐射计前端和终端设备，包括：金属盒体，上侧面开有一凹槽，凹槽内设置多个凸台；第一低噪声放大器芯片、第二低噪声放大器芯片以及检波器芯片依次设置于对应的...
胡丹周彪王建孔令甲要志宏尉国生李丰曾卓
文献传递
一种射频前端芯片结构
本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电...
杨琦刘帅白银超要志宏王磊李丰王凯崔亮郭丰强王海龙杨楠陈南庭杜晨浩刘星
文献传递
石英晶体谐振器叠层装配结构、方法及谐振器
本发明提供了一种石英晶体谐振器叠层装配结构、方法及谐振器，属于谐振器技术领域。本发明通过缓冲晶片和频率输出晶片的叠层设置，使得缓冲晶片能够缓冲谐振器基座和簧片传递到频率输出晶片上的应力，保证频率输出晶片的稳定，从而保证石...
逄杰孟昭建王占奎刘兰坤陈中平要志宏宋军霞甄志辉高唱董清李建明张立康李修杰
文献传递
辐射计前端结构
本发明适用于太赫兹安检、物质检测、遥感以及医疗诊断等技术领域，提供了一种辐射计前端结构，该结构包括：金属盒体，上侧面开有一凹槽；石英探针、两级低噪声放大器芯片、检波器芯片以及视频放大器依次设置于所述凹槽内，且相邻器件之间...
孔令甲周彪高立昆要志宏许向前王玉冯涛张洪刚
文献传递
堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法
本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预...
徐达要志宏常青松罗建张延青李丰刘荣军许悦关统新郭英乔召杰默卫朋
单片可重构砷化镓低噪声放大器
本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓...
周全陈南庭邓世雄陈书宾要志宏王磊王乔楠陈然张路洋武康郭尧张慧芳
S波段GaN MMIC Doherty功率放大器被引量：2
2018年
采用SiC衬底0.25μm Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款S波段GaN单片微波集成电路(MMIC)Doherty功率放大器,在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率,可用于小型基站。为减小芯片尺寸,采用无源集总元件替代四分之一阻抗变换线;在输入端没有采用功分器加相位补偿线的结构,而是设计了一种集总结构的电桥来提高集成度。脉冲测试表明,在3~3.2 GHz频率范围内,饱和输出功率大于10 W,在回退6 dB处的功率附加效率(PAE)为38%,芯片尺寸为4.0 mm×2.4 mm。
任健要志宏
关键词：高电子迁移率晶体管微波单片集成电路DOHERTY功放
宽带无源二倍频器
本发明提供了一种宽带无源二倍频器，包括：双面微波电路板、第一输入悬置微带线、第二输入悬置微带线、输入短路线、二极管桥堆、第一输出悬置微带线、第二输出悬置微带线、第一输出短路线以及第二输出短路线；第一输入悬置微带线和第一输...
郭彬要志宏王朋张越成汤晓东祁飞宋雁鹏杜渐赵永兴赵灿李康禾王星于凯杨会娟林伟强
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