蔡长波
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 相关领域：化学工程理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 硬盘磁记录介质的现状与发展被引量：3
- 2000年
- 讨论了现有介质、新介质的材料与结构,以及其工艺技术的现状。并展望了高密度硬盘磁记录介质的未来。指出高密度、高信噪比S/N的硬盘介质要求有高的矫顽力和小的磁记录畴。
- 王翔蔡长波王可
- 关键词：硬盘磁记录介质溅射
- 小波分析方法在磁光记录薄膜基本特性分析中的应用
- 2000年
- 利用小波分析方法取代传统的傅立叶方法对微弱的磁光记录薄膜信号进行分解、滤波和局部信号处理，大大提高了测量的灵敏度，更好地分析了磁光记录薄膜的基本特性。
- 朱全庆李佐宜李震蔡长波
- 关键词：小波分析饱和磁化强度特性分析
- 直接重写磁光记录薄膜磁特性测量的外推方法
- 2001年
- 当测量直接重写磁光记录薄膜的矫顽力 ,饱和磁化强度所需的外磁场和磁化强度超出了所用 VSM的测量范围时 ,若不采用增加膜厚的方法 ,则无法直接测量薄膜的基本参数。本文提出一种简单、有效、可靠、精密的外推方法间接地测量出它的磁性参数 ,并得到它的完整的温度特性 。
- 李震蔡长波
- 关键词：磁滞回线外推法磁特性测量
- SmCo(Al,Si)/Cr薄膜磁性能的温度稳定性被引量：2
- 2001年
- 用磁控溅射方法结合高温退火的方法在玻璃基片上制备了一种高矫顽力 SmCo(Al,Si)/Cr结构的磁性薄膜，其矫顽力达到 385.48 kA/m(4844 Oe)。研究其在 15℃到 350℃的范围内的磁性能与温度的关系。发现矫顽力随温度单调减小，而剩磁随温度的增加开始是减少的，在 90℃左右达到极小值。然后随温度的增加，在 190℃附近达到极大值。随后温度继续增加，剩磁逐渐减小。
- 蔡长波王翔廖红伟王浩敏李震林更琪
- 关键词：矫顽力磁控溅射温度稳定性磁性薄膜
- 磁编码器多极磁鼓空间磁场分布研究被引量：6
- 2001年
- 本文通过对磁编码器磁鼓空间磁场分布的理论计算和定性分析,找出场点位置、磁极数、磁层厚度和磁鼓形状等因素对磁场空间分布的影响,阐明在一定条件下,磁阻探头存在一最佳空间放置点。
- 廖红伟杨晓非蔡长波王浩敏胡雪涛
- 关键词：磁编码器
- 高矫顽力SmCo(Al,Si)/Cr薄膜的研究被引量：3
- 2001年
- 通过对磁控溅射条件的优化 ,制备出了较理想的 Sm Co(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出 ,在 Sm含量 (摩尔分数 )为 31 .6% ,Cr缓冲层为 66nm,Sm(Co,Al,Si) 5磁性层为 30 nm的条件下 ,制得的 Sm(Co,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力 Hc 为 1 87.8k A/m,剩磁比 S =Mr/Ms≈ 0 .94。在 50 0℃退火 2 5min后 ,矫顽力 Hc 达到1 0 4 2 .5k A/m,剩磁比 S≈ 0 .92。
- 王翔李佐宜林更琪蔡长波胡雪涛李震LI Zhen
- 关键词：矫顽力磁性能磁控溅射
- 磁光记录薄膜的偏振特性分析被引量：1
- 2000年
- 光线入射至磁光记录薄膜表面时，由于其入射角和方位角不同，导致磁光薄膜的偏振特性有较大变化，本文运用电磁场理论，对磁光记录薄膜偏振特性随入射角和方位角变化进行了分析。
- 王可蔡长波李佐宜谭立国王翔胡煜
- 关键词：偏振特性入射角方位角
- 磁光记录薄膜磁光特性参数测量的外推方法
- 2001年
- 本文采用自制的一种磁光特性测试仪器和 Romberg外推算法 ,对于 SONY公司的一种 640 M直接重写磁光盘 ,在 2 4 5～ 350 K温度范围内 ,获得它完整的磁光温度特性 ,包括克尔角与温度的关系曲线和矫顽力与温度的关系曲线。
- 李震蔡长波
- 关键词：外推算法
- 光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法
- 1999年
- 采用FFT方法对光调制直接重写磁光双层耦合膜的磁基本特性进行解耦，得到各单层薄膜在耦合状态下的特性，并用于分析计算磁光双层耦合膜之间的层间耦合能。
- 朱全庆谭立国李震李佐宜蔡长波邱进军
- 关键词：磁强计光调制解耦磁特性
- 硬盘技术现状及发展趋势被引量：1
- 2000年
- 蔡长波王翔于军
- 关键词：硬盘技术计算机
