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董林

作品数：22 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇碳化硅
  • 7篇半导体
  • 5篇真空系统
  • 5篇晶体
  • 5篇晶体生长
  • 5篇4H-SIC
  • 4篇导体
  • 4篇尾气
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇半导体薄膜
  • 4篇薄膜生长
  • 3篇势垒
  • 3篇输运
  • 3篇碳化硅薄膜
  • 3篇旁路控制
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇逻辑
  • 3篇逻辑关系
  • 3篇鼓泡

机构

  • 22篇中国科学院
  • 1篇东莞市天域半...

作者

  • 22篇董林
  • 21篇闫果果
  • 20篇孙国胜
  • 19篇刘兴昉
  • 19篇郑柳
  • 16篇曾一平
  • 16篇王雷
  • 13篇赵万顺
  • 13篇刘斌
  • 10篇刘胜北
  • 10篇张峰
  • 5篇李晋闽
  • 2篇田丽欣
  • 2篇吴海雷
  • 1篇王占国
  • 1篇韩景瑞

传媒

  • 1篇军民两用技术...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇军工配套材料...
  • 1篇2013‘全...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 2篇2016
  • 6篇2014
  • 8篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
HTCVD法碳化硅晶体生长装置
一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位...
刘兴昉董林郑柳闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平李晋闽
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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定...
刘兴昉郑柳董林闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平李晋闽
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碳化硅材料腐蚀炉
一种碳化硅材料腐蚀炉，包括：一主体加热炉，为耐热陶瓷构成的上端开口的中空圆柱体，内壁面有隔热材料，外壁面为不锈钢材料，耐热陶瓷内埋设有电炉丝；一镍质炉盖，位于主体加热炉的开口上方；一镍坩埚，位于主体加热炉内；一镍篮旋转装...
董林孙国胜赵万顺王雷刘兴昉刘斌张峰闫果果郑柳刘胜北
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一种半导体薄膜生长装置及其生长方法
本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连...
刘兴昉刘斌郑柳董林刘胜北闫果果孙国胜曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管
一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管，包括：一衬底；一外延薄膜，其制作在衬底上，该外延薄膜的中间有一凸台，该凸台的侧壁为平面；一保护环，其制作在外延薄膜的凸台的周围，并位于凸台周围的平面向下；一绝缘介质薄膜，其制作在外延薄膜...
郑柳孙国胜张峰刘兴昉王雷赵万顺闫果果董林刘胜北刘斌田丽欣曾一平
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一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法
本发明公开了一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺，包括液态源装置、载气装置、旁路、生长室以及真空系统。所述液态源装置包括四个源瓶：硅源、碳源、N型杂质源和P型杂质源，它们分别安装在独立的恒...
刘兴昉刘斌董林郑柳闫果果张峰王雷孙国胜曾一平
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新一代宽禁带4H-SiC功率半导体外延材料的产业化进展被引量：1
2013年
使用10×100mm暖壁行星式外延生长系统进行了4H-SiC大面积多片外延生长,获得了具有良好掺杂与厚度均匀性的高质量4H-SiC外延晶片。测试结果显示,所制得外延晶片X射线衍射谱最高峰的半高宽为26.74″,具有良好的结晶质量;片内厚度均匀性和片间厚度均匀性分别为0.26%和0.5%,片内掺杂均匀性和片间掺杂均匀性分别为2.6%和3.4%;表面粗糙度为0.2nm;表面缺陷密度小于1cm-2。这表明,该10×100mm暖壁行星式外延生长系统可满足4H-SiC外延晶片的产业化需求,将推动SiC功率器件的发展。
孙国胜董林俞军闫果果李锡光王占国
关键词：4H-SIC
一种半导体薄膜生长设备
本实用新型公开了一种半导体薄膜生长设备，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个...
刘兴昉刘斌郑柳董林刘胜北闫果果孙国胜曾一平
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碳化硅材料腐蚀炉
一种碳化硅材料腐蚀炉，包括：一主体加热炉，为耐热陶瓷构成的上端开口的中空圆柱体，内壁面有隔热材料，外壁面为不锈钢材料，耐热陶瓷内埋设有电炉丝；一镍质炉盖，位于主体加热炉的开口上方；一镍坩埚，位于主体加热炉内；一镍篮旋转装...
董林孙国胜赵万顺王雷刘兴昉刘斌张峰闫果果郑柳刘胜北
一种半导体薄膜生长装置及其生长方法
本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连...
刘兴昉刘斌郑柳董林刘胜北闫果果孙国胜曾一平
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