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李秀芳

作品数：5 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇列阵
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇准连续
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇激光二极管
  • 2篇功率
  • 2篇二极管
  • 2篇ALGAAS...
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列结构
  • 1篇砷化镓
  • 1篇探测器
  • 1篇探测器材料
  • 1篇热效应
  • 1篇热效应分析
  • 1篇瓦级

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇李秀芳
  • 5篇刘素平
  • 4篇马骁宇
  • 3篇肖建伟
  • 3篇鲁琳
  • 3篇方高瞻
  • 3篇胡长虹
  • 3篇刘宗顺
  • 2篇李伟
  • 1篇张海艳
  • 1篇祁琼
  • 1篇谭满清
  • 1篇林楠
  • 1篇熊聪
  • 1篇朱凌妮
  • 1篇孔金霞
  • 1篇罗泓
  • 1篇仲莉
  • 1篇王翠鸾
  • 1篇刘媛媛

传媒

  • 2篇高技术通讯
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2010
  • 1篇2000
  • 2篇1998
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵被引量：7
2000年
通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到１ｃｍ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ 激光二极管线列阵，在热沉温度２１℃，脉冲宽度２００μｓ，重复频率１００Ｈｚ时，输出峰值功率达１５７Ｗ．
方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平胡长虹鲁琳李秀芳王梅
关键词：激光二极管列阵砷化镓
准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵被引量：11
1998年
研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转换效率高达４３．３％。
肖建伟刘宗顺刘素平方高瞻胡长虹李秀芳鲁琳徐素娟
关键词：量子阱激光器列阵大功率半导体激光器
连续输出 20W AlGaAs/GaAs 量子阱激光二极管线列阵被引量：1
1998年
采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。
肖建伟马骁宇方高瞻刘素平刘宗顺胡长虹李秀芳鲁琳徐素娟
关键词：量子阱激光器列阵激光二极管半导体激光器
高性能半导体激光器与探测器材料外延技术的研究与应用
马骁宇熊聪刘素平仲莉林楠孔金霞李伟祁琼王翠鸾朱凌妮井红旗张海艳李秀芳罗泓倪羽
MOCVD外延生长技术是半导体激光器和探测器最核心、最关键的技术，外延材料生长的质量和器件的外延结构会直接影响到器件各项光电参数性能。如何能有效的降低材料生长过程中产生的缺陷，提高材料的均匀性，获得晶体质量完美的零缺陷材...
关键词：
关键词：半导体激光器探测器
连续百瓦级高功率半导体阵列激光器热效应分析被引量：1
2010年
理论分析了不同填充因子、不同腔长的阵列器件在同样的连续输出功率下的热分布情况,讨论了金刚石热沉对阵列器件散热的影响以及比较了双面散热与单面散热时阵列器件的热分布效果。在理论分析的基础上,采用宽波导结构,2mm腔长,80%填充因子阵列结构,实现了176W的连续输出。
刘媛媛王俊李伟罗鸿李秀芳周秀宁刘素平马骁宇
关键词：连续波激光器高功率热效应阵列结构
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