马骁宇
- 作品数：407 被引量：647H指数：12
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 一种半导体激光器
- 本公开提供了一种半导体激光器，包括：过渡热沉；散热结构，设置于过渡热沉的上表面，散热结构的横截面为梯形，梯形的下底与过渡热沉的上表面相接触；半导体激光器管芯，包括有源区，半导体激光器管芯设置于散热结构的上表面，半导体激光...
- 王振诺仲莉马骁宇刘素平
- 光纤侧圆柱面镀膜旋转装置及方法
- 一种光纤侧圆柱面镀膜旋转装置，包括：一平圆盘，该平圆盘的中心固定一中心轴；一公转件，该公转件为一筒状，套置于平圆盘的中心轴上，该公转件靠近平圆盘的一端横置有多个水平支杆，所述水平支杆的端部枢接有自转件，该自转件与平圆盘的...
- 冯小明赵懿昊祁琼刘素平马骁宇
- 文献传递
- 可调谐垂直腔面发射激光器支撑结构优化设计被引量：3
- 2023年
- 基于微机电系统(MEMS)的850 nm可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL),设计了一种双曲线梁结构,以提升器件机械和调谐特性。通过分析传统等截面梁结构的受力情况,提出了双曲线结构优化设计,将梁结构端面的面积增大从而降低最大应力。理论仿真结果表明:优化后器件上反射镜的最大偏移量基本保持不变,支撑梁上下表面的最大应力分别降低了23.4%和17.0%,谐振频率增大了7.9%;当MEMS-VCSEL分别为半导体腔主导(SCD)结构和空气腔主导(ACD)结构时,波长调谐范围分别为16.6 nm和42 nm。该优化方式的优势在于不需要改变激光器的结构,同时可与其他优化方式兼容,具有一定的应用前景。
- 吕家纲李伟戚宇轩潘智鹏仲莉刘素平马骁宇
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器可调谐激光器微机电系统机械特性调谐特性
- 实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
- 1996年
- 用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。
- 熊飞克郭良马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠
- 关键词：半导体激光器GAINPALGAINP
- 一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器
- 1997年
- 在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs／InP实用化光电探测器，它可在0．5～1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测，并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。
- 周洲曾靖归强张玉芳马骁宇王树堂
- 关键词：光电探测器光纤通信CATV
- 高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法
- 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法，属于半导体光电子技术领域，其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成，每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P<Sup>+...
- 沈光地高国陈昌华郭伟玲陈良惠马骁宇杜金玉周静邹德恕陈建新王学忠董欣
- 文献传递
- 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器
- 一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印工艺，在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形；将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀，反应气体为C...
- 王海丽赵懿昊张奇王文知仲莉刘素平马骁宇
- 文献传递
- 分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法
- 一种分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法，包括如下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在该外延片的表面涂覆光刻胶，通过纳米压印工艺，在该外延片表面的光刻胶上制作出光栅图形；步骤3：清洁感应耦合等离子体反应室；步骤...
- 张奇赵懿昊董振刘素平马骁宇
- 文献传递
- 一种热沉、制备方法及其在半导体激光器中的应用
- 一种热沉，包括独立制作的散热小通道层(1)、回水通道层(2)和底座(3)，其中散热小通道层(1)和回水通道层(2)中开设有多个供冷却介质流通的通道，小通道可通过线切割方式加工。以及一种热沉的制备方法。本发明的热沉可以满足...
- 倪羽茜井红旗仲莉张俊杰马骁宇
- 文献传递
- HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备被引量：2
- 2002年
- 利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As/ Al0 .3Ga0 .7As的选择性由 179降到 8.6 ;通过调节腐蚀液的选择性 ,在 Al0 .3Ga0 .7As外延层上制备出了倾角从 0 .32°到 6 .6 1°的各种斜面 .当 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比为 0 .0 2 8时 ,Al组分分别为 0 .3、0 .5和 0 .6 5时 ,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为 1.8、9.1和 19.3nm.另外 。
- 黄辉黄永清任晓敏高俊华罗丽萍马骁宇
- 关键词：选择性湿法刻蚀
